賽微電子發(fā)布公告，與青州市人民政府簽署了《合作協(xié)議》，共同推進6-8英寸GaN芯片晶圓制造項目的建設(shè)，將在租賃現(xiàn)成土地廠房的基礎(chǔ)上進行適應(yīng)性補充建設(shè)，且已經(jīng)鎖定成套熱線設(shè)備、目標是在2021年內(nèi)建成并做好投產(chǎn)準備，有利于公司進一步完善GaN業(yè)務(wù)的全產(chǎn)業(yè)鏈IDM(垂直整合制造)布局。

　　賽微電子表示擬在青州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國際6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項目，總占地面積30畝，一期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5,000片/月的生產(chǎn)能力，二期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12,000片/月的生產(chǎn)能力。