一直以來，很多業(yè)內(nèi)人士對(duì)臺(tái)積電、三星的工藝制程，是持懷疑態(tài)度的，那就是5nm是真的5nm么？3nm又是真的3nm么？

要知道在專業(yè)人士的認(rèn)識(shí)中，芯片工藝是多少XXnm，是指從源極到漏極（也就是柵極寬度）是多少XXnm，這是一一對(duì)應(yīng)的。

而很多人去分析臺(tái)積電、三星的先進(jìn)工藝芯片，發(fā)現(xiàn)并沒有一一對(duì)應(yīng)起來，所以才產(chǎn)生了這樣的懷疑。

而事實(shí)上，之前高通就表示過，別太相信代工廠的工藝，他們喜歡將數(shù)字弄得小一點(diǎn)，臺(tái)積電、三星都有類似問題，只有英特爾是清白的。

但真正承認(rèn)這個(gè)問題的，還是臺(tái)積電自己，在2019年的時(shí)候，臺(tái)積電的技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森就表示過，XXnm其實(shí)與晶體管柵極已經(jīng)不是絕對(duì)相關(guān)了。

意思就是現(xiàn)在的XXnm，更多的還是晶圓廠自己來定義的，并不是一定就指柵極寬度是XXnm。

這事情就有意思了，所以我們發(fā)現(xiàn)，不同的晶圓廠，在相同的芯片工藝上，晶體管密度不一樣，如下圖所示，大家可以清楚得看到。

同樣是7nm，臺(tái)積電工藝可以達(dá)到0.97億個(gè)晶體管每平方毫米，而三星只有0.95億個(gè)每平方毫米，但英特爾可以達(dá)到1.8億個(gè)每平方毫米，而越到后面，差距越大，特別是三星，相比友商，密度越來越小。

這對(duì)于英特爾而言是非常不利的，畢竟大家只看表面的工藝，那么英特爾怎么辦？于是也想了一招，不再將工藝嚴(yán)格對(duì)應(yīng)柵極寬度了，于是改名。

比如英特爾就將原本的7nm工藝，改成Intel 4，對(duì)應(yīng)的其實(shí)也就是臺(tái)積電、三星的4nm工藝。

在2022 IEEE VLSI研討會(huì)上，Intel正式表示，Meteor Lake移動(dòng)版和桌面處理器將采用Intel 4工藝（本質(zhì)是7nm工藝）。

而從其公布的參數(shù)來看，其晶體管密度等指標(biāo)方面，所謂的intel4，基本上與臺(tái)積電的4nm工藝相接近，高于三星的4nm，我們完全可以認(rèn)為是等同于4nm EUV工藝。

同時(shí)intel也表示，Intel 4相較于Intel 7（其實(shí)是10nm的12代酷睿），同等功耗下的頻率可以高出20%。

不得不說，英特爾終于也學(xué)聰明了，學(xué)會(huì)了臺(tái)積電、三星的營(yíng)銷游戲，不再死守規(guī)則，硬要將柵極寬度與XXnm對(duì)應(yīng)起來了。

不過英特爾的這一舉動(dòng)，也算是掀開了臺(tái)積電、三星在工藝上的遮羞布了，你覺得呢？不過接下來，三大廠都這么干了，也就不存在遮羞布這一說，天下烏鴉一般黑了啊。

問題來了，后續(xù)還有誰來掀開這塊遮羞布呢？