安集科技主創(chuàng)團隊皆為技術(shù)出身，其創(chuàng)始人及董事長王淑敏曾歷任美國萊斯大學(xué)材料化學(xué)博士后、美國休斯敦大學(xué)材料化學(xué)博士后、美國IBM公司研發(fā)總部研究員。王淑敏對于“靠技術(shù)創(chuàng)新，掙高回報”的宣言，貫穿至安集科技的發(fā)展歷程。

安集科技深耕高端半導(dǎo)體材料，致力于集成電路領(lǐng)域化學(xué)機械拋光液和功能性濕電子化學(xué)品的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，以填補國產(chǎn)關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的空白，打破特定領(lǐng)域高端半導(dǎo)體材料 100%進口的局面。從國產(chǎn)替代到成為全球第一梯隊的目標，安集科技還任重道遠。

破壟斷、創(chuàng)市場

自成立之初，安集科技就致力于高端半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，在還是技術(shù)空白的國內(nèi)市場率先選擇技術(shù)難度較高、研發(fā)難度較大的化學(xué)機械拋光液和功能性濕電子化學(xué)品，并持續(xù)專注投入，成功打破了國外廠商的壟斷，成為眾多半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先客戶的主流供應(yīng)商。

實際上，安集科技的技術(shù)優(yōu)勢并非一日之功，其公司的拳頭產(chǎn)品——化學(xué)機械拋光液具有“難”“?！薄岸唷钡忍攸c。

“難”主要指技術(shù)門檻高、認證時間長，CMP工藝對不同材料的去除速率、選擇比及表面粗糙度和缺陷都要求精準至納米乃至埃（分子級），如此精準的控制需要通過精制、客制拋光液在宏觀的拋光機臺和拋光墊的作用下完成，其技術(shù)難度并不是只靠一個配方、某個原材料或者磨料能完成的，需要有化學(xué)、電化學(xué)、物理等多種交叉學(xué)科的知識儲備，以及不同工藝在應(yīng)用端的豐富經(jīng)驗。

“?！笔侵覆煌蛻舨煌杉夹g(shù)對拋光液的具體需求不同，需要客制化適配具體客戶工藝的拋光液，因此客戶和供應(yīng)商聯(lián)合開發(fā)至關(guān)重要，同時長期積累的量產(chǎn)經(jīng)驗和客戶服務(wù)經(jīng)驗也是關(guān)鍵。隨著集成電路技術(shù)不斷推進，下游客戶對拋光液的種類和用量需求都在增加，而且新技術(shù)、新襯底材料的出現(xiàn)也對拋光材料和拋光工藝提出了更多新的需求，拋光液下游需求越來越呈現(xiàn)“多”的特點。

因其“難”“?！薄岸唷钡奶攸c，安集科技在實現(xiàn)國產(chǎn)替代過程中逐漸建立了技術(shù)優(yōu)勢，目前研發(fā)人員為151人，數(shù)量占公司總?cè)藬?shù)的比例42.65%，通過多年持續(xù)投入，已擁有一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。截至2022年6月30日，共擁有授權(quán)專利248項，另有237項專利申請已獲受理，均為發(fā)明專利。

在“靠技術(shù)創(chuàng)新，掙高回報”的目標導(dǎo)向下，安集科技實現(xiàn)穩(wěn)步增長。安集科技2022年年度報告中披露：預(yù)計2022年實現(xiàn)營業(yè)總收入10.77億元，同比增長56.82%；實現(xiàn)歸屬上市公司股東凈利潤3.01億元，同比增長140.99%。同時，業(yè)績增長的主要原因系加大力度開拓中國大陸地區(qū)市場，客戶用量及客戶數(shù)量進一步上升，同時海外市場進一步拓展，公司營業(yè)收入穩(wěn)步提升。在鎢拋光液、基于氧化鈰磨料的拋光液以及襯底拋光液、濕電子化學(xué)品在海外市場均有突破，電鍍液及添加劑大幅加速量產(chǎn)等。

一路走來，技術(shù)、經(jīng)驗和時間共同組成了安集科技的競爭壁壘。正如安集科技董事長王淑敏所說，半導(dǎo)體材料的特點是“專”，且每個細分領(lǐng)域規(guī)模又不大，這意味著技術(shù)難度高，但業(yè)務(wù)量不大。如果企業(yè)不做大、不把平臺拓寬，長期來講企業(yè)持續(xù)發(fā)展會非常難。為此，企業(yè)研發(fā)需要花很大的功夫，如同麻雀雖小五臟俱全。也正是如此，安集科技近幾年在化學(xué)機械拋光液板塊，一直致力于實現(xiàn)全品類產(chǎn)品線的布局和覆蓋。

不僅僅是專耕半導(dǎo)體材料的安集科技，縱觀許多發(fā)力國產(chǎn)化替代的本土科創(chuàng)企業(yè)，能夠發(fā)現(xiàn)其發(fā)展規(guī)律有一定的相似性：那就是在某一個細分領(lǐng)域，中國的科創(chuàng)企業(yè)往往都是從中低端開始，慢慢補齊國內(nèi)技術(shù)空白，等發(fā)展到一定階段后，尤其是上市之后，會從早期的追趕、模仿態(tài)勢轉(zhuǎn)向自主創(chuàng)新，隨后在既有領(lǐng)域向更高端的領(lǐng)域拓展的同時，開始進行業(yè)務(wù)整合打造平臺。

什么是CMP 工藝？

CMP（化學(xué)機械拋光/研磨）是目前公認的納米級全局平坦化精密加工技術(shù)。在集成電路制造全過程中，除集成電路設(shè)計環(huán)節(jié)外，都需要使用 CMP 工藝，其中集成電路制造是CMP工藝主要應(yīng)用場景。

CMP可以使晶圓表面達到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求，解決晶圓表面起伏不平導(dǎo)致的光刻無法準確對焦、電子遷移短路、線寬控制失效等問題。

根據(jù)不同工藝制程和技術(shù)節(jié)點的要求，每一片晶圓在生產(chǎn)過程中都會經(jīng)歷幾道甚至幾十道的 CMP 拋光工藝步驟。

化學(xué)作用是指拋光液中的化學(xué)品和硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成比較容易去除的物質(zhì)，物理過程是指拋光液中的磨粒和硅片表面材料發(fā)生機械物理摩擦，去除化學(xué)反應(yīng)生成的物質(zhì)。

與傳統(tǒng)的純機械或純化學(xué)的拋光方法不同，CMP 工藝是通過表面化學(xué)作用和機械研磨的技術(shù)結(jié)合來實現(xiàn)晶圓表面微米/納米級不同材料的去除，從而達到晶圓表面的高度（納米級）平坦化效應(yīng)，使下一步的光刻工藝得以順利進行。

CMP 上游為拋光材料，主要包括拋光墊、拋光液、鉆石碟、清洗液等。中游為晶圓制備，下游應(yīng)用包括消費電子、汽車電子、醫(yī)療等領(lǐng)域。

根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，全球 CMP 材料成本占比中，拋光液和拋光墊價值量最高，其中拋光液占比 49%，拋光墊占比 33%，合計占比 82%，鉆石碟占比 9%，清洗液占比 5%。

CMP拋光液市場國產(chǎn)替代進程加快

CMP拋光液是半導(dǎo)體晶圓制造過程中所需主要材料之一，在晶圓打磨過程中起著關(guān)鍵作用，拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。近年來，在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下，晶圓應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴大、市場規(guī)模不斷擴大，進而帶動CMP拋光液市場需求不斷增加。

從全球市場來看，2021年全球晶圓市場規(guī)模約為1092億美元，同比增長25%，在晶圓市場發(fā)展驅(qū)動下，2021年全球CMP拋光液市場規(guī)模為19.1億美元，同比增長14.3%。全球CMP拋光液市場由Cabot Microelectronics、日立、FUJIMI、慧瞻材料等美日企業(yè)占據(jù)壟斷地位， 2021年美日企業(yè)共計占據(jù)約66%市場份額。但近年來，國內(nèi)企業(yè)安集科技在半導(dǎo)體拋光液領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破，2021年其占據(jù)了全球約6%市場份額。

從中國市場來看，2021年晶圓市場規(guī)模約為2957.4億元，同比增長12.7%，在此背景下，根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2022-2026年CMP拋光液標桿企業(yè)及競爭對手專項調(diào)研報告》顯示，2021年國內(nèi)CMP拋光液市場規(guī)模為18.7億元，同比增長26.5%。CMP拋光液成分復(fù)雜、研發(fā)壁壘較高，針對不同晶圓制造工藝，拋光液配方組成成分及其濃度需要進行相應(yīng)的優(yōu)化與調(diào)整，因此行業(yè)準入門檻較高，目前國內(nèi)企業(yè)主要包括安集科技、深圳力合、鼎龍股份、上海新陽、上海新安納等。

近年來，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向中國大陸轉(zhuǎn)移進程不斷加快，晶圓市場規(guī)模不斷擴大刺激CMP拋光液市場需求快速增長，行業(yè)發(fā)展前景較好。雖然目前國內(nèi)CMP拋光液市場仍由國外企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，但本土企業(yè)安集科技已在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，其占比國內(nèi)市場份額不斷增加，未來國產(chǎn)替代進程將不斷加快，行業(yè)發(fā)展?jié)摿薮蟆?/span>


CMP拋光材料未來增長可期

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2014-2020年，全球CMP拋光材料市場規(guī)模從15.7億美元提升至24.8億美元，年均復(fù)合增長率（CAGR）約為8%，占晶圓制造材料比重約7%。

其中，2020年國內(nèi)CMP拋光材料市場規(guī)模約為32億元，近五年復(fù)合增速維持在10%左右。

展望未來，一方面，晶圓制造工藝制程縮小將進一步帶來 CMP 工藝步驟增長，帶動 CMP 拋光材料在晶圓制造過程中的消耗量增加。

根據(jù) Cabot Microelectronics 數(shù)據(jù)，250nm 時 CMP 拋光步驟為 8 次，45nm 時 CMP 拋光步驟增加到 17 次，7nm 時 CMP 拋光步驟則增加到 30 次。

此外，在存儲芯片領(lǐng)域，隨著存儲容量需求增長，存儲芯片在由 2D NAND 向 3D NAND升級過程中，CMP 拋光步驟由 7 次增加到 15 次，實現(xiàn)了翻倍增長。作為主流存儲技術(shù)，3D NAND 層數(shù)也在不斷增加，隨著堆疊層數(shù)增加，CMP 拋光材料的需求量也有望同步增長。

此外，先進封裝的應(yīng)用使 CMP 從晶圓制造前道工藝走向后道工藝。在封裝領(lǐng)域，傳統(tǒng)的 2D封裝并不需要 CMP 工藝，但隨著系統(tǒng)級封裝等新的封裝方式的發(fā)展，技術(shù)實現(xiàn)方法上出現(xiàn)了倒裝、凸塊、晶圓級封裝、TSV 硅通孔、2.5D 封裝和 3D 封裝等先進封裝技術(shù)。

其中 TSV 技術(shù)中就需要使用 CMP 工藝進行通孔大馬士革銅工藝淀積后的正面拋光，可以平坦化和隔開另一面沉積的導(dǎo)體薄膜，方便進行金屬布線。

此外，也能用于晶圓背面金屬化和平坦化的減薄拋光，未來 CMP 拋光材料將在先進封裝工藝中尋找到新的市場空間。