受存儲芯片需求持續(xù)萎縮影響，三星電子4月7日公布的公布的未經(jīng)審計的第一季度初步業(yè)績報告顯示，其今年一季度營業(yè)利潤同比暴跌95%至6000億韓元（約4.555億美元），創(chuàng)下2009年金融危機以來最低記錄。為了挽回業(yè)績頹勢，三星也被迫宣布對存儲芯片進行減產(chǎn)，這也是自1998年金融危機以來，首次正式進行減產(chǎn)。但是，三星并未公布具體的減產(chǎn)規(guī)模。

近日，三星公布了正式的一季度財報，顯示其三星電子第一季度營業(yè)利潤為6402億韓元，較上年同期的14.12萬億韓元下降95%。營收下降 18%，至63.74萬億韓元。凈利潤為1.57萬億韓元，同比下降86.1%。

其中，三星電子在第一季度的芯片業(yè)務(wù)虧損額高達4.58萬億韓元（約合人民幣236億元），這也是三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)14年來的首次虧損。

這足以顯示存儲芯片市場持續(xù)下滑對于三星整個半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的負面影響，這也是迫使三星不得不宣布減產(chǎn)的關(guān)鍵。


三星等大廠減產(chǎn)

此前，韓國《中央日報》 引用市場人士的說法指出，三星的DRAM減產(chǎn)計劃將聚焦在 DDR4 的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM上，具體將會對韓國華城園區(qū)內(nèi)的DRAM產(chǎn)線進行減產(chǎn)，預(yù)計將減產(chǎn)3至6個月的時間，與2022年2月和3月的產(chǎn)能水平相比，三星的晶圓總投入量將減少5-7%。

另據(jù)韓國媒體BusinessKorea報道稱，今年二季度，三星將大砍西安廠產(chǎn)能，其中西安一廠（Xian Plant 1）月產(chǎn)能預(yù)計會下修至110,000片，較去年四季度的125,000片減少12%；西安二廠（Xian Plant 2）月產(chǎn)能則預(yù)料會從145,000片減產(chǎn)7%至135,000片。目前西安廠占據(jù)三星NAND Flash總產(chǎn)量的40%，主要生產(chǎn)128-layer（V6）NAND Flash。

不過，以上的減產(chǎn)計劃并未得到三星官方的承認。

據(jù)《韓國先驅(qū)報》（The Korea Herald）報導(dǎo)，三星在上周四的一季度財報電話會議上再度表示，將開始削減存儲芯片產(chǎn)量，但仍未具體說明減產(chǎn)規(guī)模。

但據(jù)韓國分析師預(yù)計，三星預(yù)計最多將削減高達25%芯片產(chǎn)量以緩解庫存問題，這相比之前外界曝光的減產(chǎn)幅度大幅提高。

據(jù)Daishin Securities 分析師 Wi Min-bok最新預(yù)測，與去年同期相比，三星今年上半年減產(chǎn)幅度可能介于20～25%之間。

KB Securities 估計，三星4～6月期間NAND Flash產(chǎn)量將比同期下降15%，DRAM產(chǎn)量將從第三季度開始下降20%以上。

三星證券分析師 Hwang Min-seong 預(yù)測，若減產(chǎn)未能降低客戶庫存量，之后可能會持續(xù)更多減產(chǎn)行動。

雖然三星預(yù)計今年下半年客戶芯片庫存用盡，屆時將重新開始采購芯片，但目前全球芯片市場仍未出現(xiàn)全面復(fù)蘇跡象。

值得注意的是，去年下半年，鎧俠、美光等存儲芯片大廠已經(jīng)相繼宣布了減產(chǎn)計劃，SK海力士似乎也在進行減產(chǎn)，并將今年的資本支出削減了50%。


行業(yè)需求有望下半年回暖

近日，長江存儲首席運營官程衛(wèi)華對外表示，預(yù)計2023年全球閃存需求將回暖，供需趨于平衡。

全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%。

進入2023年第一季度，集邦咨詢指出，鎧俠、美光產(chǎn)線持續(xù)低負載，西部數(shù)據(jù)、SK海力士將跟進減產(chǎn)，有機會緩解目前供給過剩的情況，NAND Flash均價跌幅也將收斂至10~15%。

經(jīng)歷過2022年“寒冬”之后，存儲廠商在最新財報中普遍對2023年存儲市場抱有相對樂觀的展望。

雖然預(yù)計宏觀經(jīng)濟的不確定性將持續(xù)存在，但三星預(yù)計需求將在下半年開始復(fù)蘇，主要集中在HPC和汽車行業(yè)。

SK海力士表示，雖然今年上半年的低迷市況在持續(xù)深化，但從全年整體來看，預(yù)計市況會越到下半年就越好。此外，SK海力士預(yù)測，IT企業(yè)將增加與產(chǎn)業(yè)高點相比價格大幅下降的存儲器半導(dǎo)體的使用量，市場需求也將逐漸回升。

美光預(yù)計未來幾個月內(nèi)存儲器需求趨勢將逐步好轉(zhuǎn)，因為客戶庫存水平將改善，新的CPU平臺推出，中國的需求隨著經(jīng)濟的重新開放而開始增長。

三大巨頭正推動DDR5內(nèi)存普及

美光、SK海力士雖削減支出以應(yīng)對半導(dǎo)體“寒冬”，但依然在積極布局DDR5。美光以1α nm工藝打造的DDR5存儲器進入客戶驗證，將應(yīng)用在AMD EPYC 9004系列存儲器上；SK海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達8Gbps的服務(wù)器DDR5內(nèi)存模組，傳輸速度較之前的產(chǎn)品提高了80%。

東方證券指出，目前存儲價格接近底部，預(yù)計需求將環(huán)比改善。其中，DDR5替換周期已開啟。目前每臺DDR5服務(wù)器平均配備10多個內(nèi)存條，每臺PC配備1-2個內(nèi)存條，PC和服務(wù)器的替換將帶動內(nèi)存接口芯片和相關(guān)存儲模塊量價齊升。

根據(jù)國外科技媒體 SamNews24 報道，行業(yè)專家認為三星電子、SK 海力士和美光三家公司正大力推動 DDR5 內(nèi)存普及，以此遏制半導(dǎo)體市場下滑的趨勢。

DDR5 DRAM 是聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）推出的最新 DRAM 規(guī)范，其性能比 DDR4 DRAM 高了一倍。

DDR4 DRAM 當(dāng)前占據(jù)了內(nèi)存市場的大部分份額。業(yè)內(nèi)人士認為通過提高 DDR5 內(nèi)存的產(chǎn)量，普及 DDR5 內(nèi)存，可以刺激 DDR5 DRAM 的替換需求。

在此附上市場研究公司 OMDIA 此前公布的數(shù)據(jù)，今年 DDR5 DRAM 將占 DRAM 市場的 12%，高于 2022 年的 3%。預(yù)計到 2024 年將增長到 27%，超過 DDR4（23%）。