日前，清純半導體（寧波）有限公司宣布完成數億元A+輪融資。本輪融資由蔚來資本、士蘭微及其戰(zhàn)略基金、華登國際聯(lián)合領投，老股東高瓴創(chuàng)投（GL Ventures）持續(xù)加注，同時獲得宏微科技及多家電源和光伏企業(yè)等機構鼎力支持。本次融資將用來完善供應鏈布局、擴大團隊、建設量產實驗室并支撐產品上量。

自2021年底A輪融資以來，清純半導體在碳化硅（SiC）器件技術研發(fā)和產品開發(fā)等方面取得一系列重大進展。1200V SiC MOSFET平臺技術成熟，多規(guī)格產品實現量產，并通過AEC-Q101車規(guī)級認證和960V-H3TRB可靠性驗證；推出了首款國內量產的15V驅動SiC MOSFET系列產品填補國內空白，各項性能指標均達到或超過國際同類產品水平，實現SiC MOSFET芯片出貨近百萬顆，服務多家光伏與儲能行業(yè)頭部客戶；推出了國內最低導通電阻的1200V 14mΩ SiC MOSFET,通過Tier1廠商驗證，性能對標國際主流主驅芯片，目前正在多家車企驗證。

未來清純半導體將在電動車主驅芯片持續(xù)發(fā)力，為新能源車企定制高性能、高可靠性、高性價比的主驅芯片，率先實現主驅碳化硅芯片的國產替代。


投資人一致看好

蔚來資本管理合伙人朱巖表示：碳化硅功率器件相比較硅基器件，在系統(tǒng)和應用層面有著顯著優(yōu)勢。碳化硅市場空間大、增速快，在新能源汽車等領域擁有廣泛的應用場景。清純半導體是國內碳化硅領域最優(yōu)秀的初創(chuàng)公司之一，團隊擁有行業(yè)內最豐富的碳化硅設計和制造經驗，公司成立僅一年多時間即完成SiC MOSFET產品研發(fā)并通過車規(guī)認證，產品性能比肩海外同行，有望在電動車主驅等環(huán)節(jié)率先實現國產化。

士蘭控股總裁陳向明表示：清純半導體創(chuàng)始團隊在SiC芯片領域具有深厚的技術及產業(yè)化經驗，產品得到了客戶及市場的高度評價。本輪融資標志著清純半導體和士蘭微電子戰(zhàn)略合作的全面實施。士蘭微將依托其國內領先的SiC晶圓量產線為清純半導體提供產能保障，全力支持清純半導體各方面的發(fā)展需求，通過雙方的強強聯(lián)合，快速推動SiC器件的技術迭代，加速提高SiC功率芯片及模塊的國產替代水平。

華登國際合伙人王林表示：清純半導體有國際一流的工藝研發(fā)積淀已屬難得，更可貴的是，團隊仍保持強大的持續(xù)創(chuàng)新能力。成立以來，公司快速形成完整的SiC產品矩陣、同時完成多次產品迭代，性能對標國際大廠。華登國際堅持長期主義，期待與團隊長久相伴，共同成長，打造下一代功率器件行業(yè)領軍企業(yè)。


中國企業(yè)加入碳化硅陣營

市調機構Straits Research近日發(fā)布的一份研究報告顯示，2022年全球碳化硅晶圓市場規(guī)模已達8.19億美元，2031年將增長至29.49億美元，年復合增長率為15.30%，遠超半導體行業(yè)的整體增速。碳化硅器件應用面迅速擴大，供應持續(xù)吃緊，吸引越來越多企業(yè)大舉投入。目前的碳化硅產業(yè)仍以美、日、歐洲企業(yè)為主導，中國大陸廠商也在積極布局，已有超過50家國內企業(yè)宣布以不同的形式涉足。面對這一輪碳化硅發(fā)展戰(zhàn)略機遇期，中國企業(yè)不能“缺席”。

這些年中國大陸廠商也在積極發(fā)展8英寸碳化硅晶圓。資料顯示，爍科晶體于2022年1月實現8英寸N型碳化硅拋光片的小批量生產。天科合達2020年開展8英寸導電型碳化硅單晶襯底的研發(fā)，計劃在2023年實現8英寸襯底產品的小規(guī)模量產?？朴寻雽w于2022年10月在6英寸碳化硅晶體厚度上實現40毫米的突破，后又在12月份宣布，通過自主設計制造的電阻長晶爐產出直徑超過8英寸的碳化硅單晶。2020年天岳先進啟動8英寸碳化硅襯底的研發(fā)，但目前尚未達到量產程度。晶盛機電在2022年8月宣布首顆N型SiC晶體成功出爐，預計2023年第二季度將實現小批量生產。

可以看到，在碳化硅領域我國企業(yè)已取得了較大進步，從4英寸到6英寸，再到8英寸，代際差距不斷縮小。國際上4英寸碳化硅襯底量產時間相比國內早10年以上；6英寸則大致早7年;8英寸時代差距有望進一步縮小。

不過有一點應該注意，很多國際企業(yè)將8英寸碳化硅襯底的量產節(jié)點就定在今年。中國企業(yè)雖然也在8英寸襯底的開發(fā)上取得進展，但“小批量生產”與“量產”是不同的，二者在良率、成本上有著極大的差別。此外，我國企業(yè)對來自歐美、日本的碳化硅設備仍有很大依賴。

但是中國企業(yè)只要持續(xù)努力，是有機會在這一輪碳化硅發(fā)展熱潮中追趕上國際先進水平的。正如第三代半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟副理事長兼秘書長楊富華在論壇發(fā)言時指出，中國寬禁帶半導體產業(yè)正迎來戰(zhàn)略機遇期。目前，新型電力系統(tǒng)、高鐵、新能源汽車、5G/6G通信、半導體照明及超越照明、工業(yè)電機及消費電子等市場已啟動，應用需求將大大驅動技術創(chuàng)新。如今，中國在寬禁帶半導體領域已經有了一定的技術儲備，且國際半導體產業(yè)和裝備巨頭還未形成專利、標準和規(guī)模的壟斷，中國與國際先進水平差距不大。


車企入局，搶占碳化硅先局

理想汽車的碳化硅芯片、功率半導體研發(fā)以及生產基地于去年落戶蘇州。該項目是理想汽車的戰(zhàn)略布局之一，專注于第三代半導體碳化硅車規(guī)芯片的研發(fā)與生產。

到目前為止，國產新能源廠商在電池、電機、電控方面已經實現了完全的獨立自主，但在芯片等領域，依然存在不小的短板。業(yè)內把碳化硅芯片應用最成熟的就是特斯拉，而國內的比亞迪、蔚來等頭部廠商也都宣布采用碳化硅方案，據說比亞迪還買了6個硅礦。

這便是理想汽車布局碳化硅芯片的重要原因。另外，隨著采用碳化硅芯片的車企越來越多，碳化硅芯片將迎來爆發(fā)性增長。

權威機構預測，到2025年全球碳化硅芯片的需求量將從目前的30萬片擴大到420萬片。對理想汽車來說，這是一個必須要掌握的行業(yè)制高點。

在燃油車時代，國產汽車廠商也在技術領域進行了諸多努力，但客觀來說，成效并不明顯。在發(fā)動機、變速箱、底盤等領域，國產廠商與外資品牌的差距顯而易見。不過在新能源時代，國產廠商與外資廠商站在了同一個起跑線上。除了碳化硅芯片本身的優(yōu)勢之外，理想汽車的布局，還有一個重要原因，那就是堅持自研核心零部件。最近一年多時間里汽車行業(yè)遭遇了嚴重沖擊，一方面是因為原材料價格上漲，另一方面則是由于芯片短缺。危機之下，就連奔馳、大眾、寶馬這樣的巨頭級廠商也難以幸免。

理想汽車雖然成績不錯，但總體銷量規(guī)模比較小，對產業(yè)鏈的把控能力差，抗風險能力自然也就比較弱。在碳化硅芯片這種核心零部件上進行布局，也是未雨綢繆。

除此之外，理想汽車布局碳化硅芯片還有一個重要原因，那就是目前新能源汽車行業(yè)看上去一直在進步，但在很多功能與配置方面其實已經接近極限，必須尋找新的增長點。

就以續(xù)航里程來說，從300公里提升至600公里，這屬于革命性的進步，但從600公里提升至700公里，就變得可有可無了，消費者的感受便不那么強烈。

因此隨著技術的逐漸成熟，未來幾年內市場將進入拼內功的階段。在這種情況下，不掌握核心技術的廠商將會被淘汰出局。