眾所周知，目前全球的芯片產(chǎn)業(yè)，逐步在形成兩大集團(tuán)。

一個(gè)集團(tuán)是以美國為首的利益集團(tuán)，比如美國、日本、荷蘭等國家，大家聯(lián)手，對中國半導(dǎo)體進(jìn)行打壓，阻擋中國半導(dǎo)體崛起的腳步。

一個(gè)集團(tuán)是以中國大陸為首的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈集團(tuán)，大家的目標(biāo)是打破美國壟斷，突破美國的封鎖，自己能夠制造先進(jìn)芯片，擺脫對美國的依賴。

不過很明顯，目前美國利益集團(tuán)很厲害的，特別是美、日、荷蘭聯(lián)手之后，美國在EDA/IP、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域，處于領(lǐng)先地位。

而中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相對于美國利益集團(tuán)而言，確實(shí)還差得遠(yuǎn)，具體表現(xiàn)在芯片制造能力差太遠(yuǎn)，所以美國現(xiàn)在是有恃無恐，想封殺就封殺。

而至于芯片設(shè)計(jì)、封測這一塊，我們基本等于同世界領(lǐng)先水平，不落后太多，3nm芯片的設(shè)計(jì)、封測早已搞定，但是沒有制造，設(shè)計(jì)出0.1nm芯片也沒用啊。

從具體的芯片制造能力來看，美國利益集團(tuán)的水平已經(jīng)達(dá)到了3nm，比如三星、臺積電去年就實(shí)現(xiàn)了3nm工藝，而這個(gè)3nm工藝是完全能夠?yàn)槊绹杏谩?br/>

而中國大陸的芯片制造能力還停留在14nm，更關(guān)鍵的是，這個(gè)14nm還依賴于美國的設(shè)備、EDA、荷蘭/日本的光刻機(jī)，要是純國產(chǎn)，也許在65nm甚至90nm去了。

而這個(gè)14nm工藝，臺積電、三星等早在6年前就實(shí)現(xiàn)了，所以說落后6年肯定是有的，甚至更長時(shí)間的落后。

所以美國就不斷的打壓，想要鎖死了16/14nm以下先進(jìn)邏輯制程，鎖死128層及以上3D NAND的制造，鎖死18nm及以下DRAM的發(fā)展。

這些背后的根源，還是國內(nèi)的芯片制造能力不夠，制造不出更先進(jìn)的芯片，所以一旦鎖死住當(dāng)前水平，那么先進(jìn)的芯片就必須得從美國利益集團(tuán)去進(jìn)口，這樣就相當(dāng)于被他們卡住了脖子，拿捏住了。

當(dāng)然，我們的芯片制造能力落后的背后，還有很多關(guān)鍵設(shè)備、材料沒有搞定，比如光刻機(jī)、光刻膠等等。

而這些設(shè)備、材料均依賴于美國、荷蘭、日本等國家，所以這才是美國真正有恃無恐的原因。

接下來，我們必須把這些關(guān)鍵設(shè)備、材料搞定，然后把制造能力提升上來，不讓它再拖后腿了，否則就會一直被美國拿捏的死死的。