一個尷尬的事實:離開美國的技術(shù)/設(shè)備,我們只能制造65nm芯片
眾所周知,目前國內(nèi)能夠制造的芯片工藝是14nm,中芯國際于2019年就實現(xiàn)了量產(chǎn),像華為之前的芯片麒麟710A,就是采用中芯14nm工藝制造的。
所以很多人一直認為,目前國內(nèi)的芯片水平是14nm,也認為有了這個14nm工藝,我們不必那么慌了,因為就算美國再升級制裁,也只是不能制造14nm以下的芯片,問題也不嚴重。
畢竟除了CPU、GPU、Soc等幾大類別的芯片,要用到14nm工藝外,其它的芯片有14nm就夠了,而CPU、GPU、Soc等,用14nm的,也能撐一撐嘛。
但我今天要給大家說一個尷尬的事實,那就是離開國外的技術(shù)/設(shè)備,我們其實只能制造最多65nm的芯片,65nm以下的芯片,是無能為力的。
為何這么說,因為目前14nm芯片的實現(xiàn),是基于大量的國外設(shè)備/技術(shù),特別是美國、日本的技術(shù)/設(shè)備/材料,一旦全面封鎖,不給我們提供這些設(shè)備、技術(shù)、材料了,麻煩就大了。
為何會是65nm,一個最典型的限制是光刻機,目前國內(nèi)的光刻機大量采購的ASML、尼康、佳能的。國產(chǎn)光刻機最先進的上海微電子。
其最先進的光刻機是SSA600/20,分辨率是90nm,雖然很多不負責的媒體表示,可以多次曝光后,達到最低22nm的極限,但是它只是一臺干式光刻機,屬于ArF光刻機,理論上干式光刻機的極限是65nm,要進入65nm以下,得生產(chǎn)出浸潤式光刻機才行,也就是ArFi光刻機。
此外,除了光刻機外,還有媒體報道稱,國產(chǎn)涂膠顯影機等,其技術(shù)節(jié)點似乎也在65nm。
另外在半導體材料上,我們也有很多沒有突破,最典型的是光刻膠,目前國內(nèi)僅能生產(chǎn)ArF光刻膠,光刻膠其實是與光刻機對應的,ArF光刻機,也用在130-65nm工藝上的。
光刻機、光刻膠還只是最典型的兩樣,還有一些靶材、特殊氣體等,國內(nèi)甚至不能生產(chǎn),得進口。
所以,大家千萬別因為我們能夠制造14nm芯片,就覺得已經(jīng)夠用了,這是依賴美日的技術(shù)/設(shè)備才實現(xiàn)的,并不真正屬于自己。
中國與美國、日本不一樣,美國、日本等企業(yè)可以依托全球的供應鏈進行整合,而以美國為首的西方國家,對中國是進行打壓的,所以不能靠他們,必須得自己有,才心里不慌,不怕被卡脖子,你覺得呢?所以加油吧,要補的課還有很多,路也很漫長。
