從設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三個(gè)環(huán)節(jié),分析國(guó)產(chǎn)芯片發(fā)展到哪一步了
關(guān)鍵詞: 芯片 龍芯 光刻機(jī) 中芯國(guó)際
近日,美國(guó)又將28家中國(guó)企業(yè)列入了“實(shí)體清單”進(jìn)行打壓,比如全球最牛的AI服務(wù)器廠(chǎng)商浪潮集團(tuán),以及中國(guó)最有名的CPU廠(chǎng)商之一龍芯等。
于是很多網(wǎng)友表示,國(guó)產(chǎn)芯片究竟發(fā)展到哪一步了,為何美國(guó)不斷的打壓,難道我們的技術(shù),真的差那么遠(yuǎn)么?
今天就給大家聊一聊,國(guó)產(chǎn)芯片究竟發(fā)展到哪一步了。
芯片目前分為三個(gè)主要環(huán)節(jié),分別是設(shè)計(jì)、制程、封測(cè)這。
設(shè)計(jì)水平,目前國(guó)內(nèi)與全球水平是一致的,那就是達(dá)到了3nm,這個(gè)估計(jì)大家不會(huì)懷疑,畢竟之前華為麒麟芯片,與高通、蘋(píng)果芯片是同步的。
去年上半年三星量產(chǎn)3nm芯片時(shí),首批客戶(hù)就是國(guó)內(nèi)的礦機(jī)廠(chǎng),所以3nm芯片,我們?nèi)ツ昃湍軌蛟O(shè)計(jì)出來(lái)了,設(shè)計(jì)這一塊,我們不落后。
但是,要注意的是,設(shè)計(jì)芯片,需要指令集、EDA、IP核等,這一塊國(guó)內(nèi)相對(duì)是較落后的,國(guó)內(nèi)的芯片,大多使用ARM指令集,美國(guó)的EDA,還有ARM的IP核等,這一塊差距相當(dāng)大。
制造這一塊,對(duì)外公開(kāi)的數(shù)據(jù)是中芯已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了14nm工芯的量產(chǎn),而梁孟松曾表示,已完成7nm工藝的研發(fā)任務(wù),就等EUV光刻機(jī)到貨了。
但是大家特別要注意在制造這一塊,實(shí)現(xiàn)14nm芯片的量產(chǎn),是基于ASML的光刻機(jī),美國(guó)的一些半導(dǎo)體設(shè)備,日本的一些半導(dǎo)體材料才行的。
如果采用國(guó)產(chǎn)設(shè)備、國(guó)產(chǎn)材料,目前的真實(shí)技術(shù),連28nm都實(shí)現(xiàn)不了,因?yàn)閲?guó)產(chǎn)光刻機(jī)才達(dá)到90nm,還有一些設(shè)備,最多也就是28nm。
在材料方面,像光刻膠,國(guó)產(chǎn)才剛實(shí)現(xiàn)ArF光刻膠,也就是65nm左右,可以說(shuō)制造水平要是考慮國(guó)產(chǎn)化,最多在65nm,甚至還在90nm。
最后說(shuō)說(shuō)封測(cè)這一塊,封測(cè)這一塊,門(mén)檻相對(duì)最低,去年的時(shí)候,天水華天、通富微電、長(zhǎng)電科技就表示,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3nm芯片的封測(cè)。
而今年年初,像長(zhǎng)電科技、通富微電均表示,實(shí)現(xiàn)了4nm的Chiplet芯片的封測(cè),而封測(cè)設(shè)備,并不那么難,可以說(shuō)國(guó)內(nèi)封測(cè)水平,與國(guó)際水平基本也是一致的。
可見(jiàn),與全球水平相比,我們差的是EDA、指令集、IP核等,還有光刻機(jī)等設(shè)備、光刻膠等材料,并且差距相當(dāng)相當(dāng)大,比如光刻機(jī)要僅90nm,光刻膠僅65nm。
這也是為何美國(guó)不斷打壓的原因,因?yàn)橹灰ㄗ」饪虣C(jī),就卡住了所有,我們有再牛的芯片設(shè)計(jì)水平、封測(cè)水平,但只要制造不出來(lái),一切就都是假的。
