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下一代EUV光刻機(jī)何時能見到?ASML這樣說

2023-02-18 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
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關(guān)鍵詞: ASML 光刻機(jī) 芯片

近日,ASML發(fā)布了2022年度的財報。在這份報告中,ASML除了詳細(xì)介紹了公司的年度收入以外,關(guān)于技術(shù)未來發(fā)展的一些信息也是筆者在粗略閱讀這篇報告時關(guān)注的另一個重點,這也是他們過去幾十年里一直堅持在做的工作。


如在2022年,ASML就實現(xiàn)了不少重要進(jìn)展:例如在 DUV 方面,他們交付了NXT KrF 系統(tǒng)的首臺設(shè)備TWINSCAN NXT:870和第一臺 TWINSCAN NXT:2100i。和大多數(shù)讀者一樣,筆者較為關(guān)心ASML在下一代EUV光刻機(jī)——High NA EUV光刻機(jī)方面的進(jìn)展。


按照ASML所說,在歷經(jīng)六年的研發(fā)后,他們在2022年收到了供應(yīng)商提供的第一個高數(shù)值孔徑機(jī)械投影光學(xué)器件和照明器(illuminator)以及新的晶圓載物臺(wafer stage)。這些模塊將用于EXE:5000的初始測試和集成,是一個重要的步驟。


ASML同時指出,2022 年,公司收到了所有現(xiàn)有 EUV 客戶的采購訂單,要求交付業(yè)界首個 TWINSCAN EXE:5200 系統(tǒng)——具有High-NA 和每小時 220 片晶圓生產(chǎn)率的 EUV 大批量生產(chǎn)系統(tǒng)。


關(guān)于未來的EUV光刻機(jī)發(fā)展路徑,ASML首席技術(shù)官Martin van den Brink在財報中透露,他認(rèn)為Hyper-NA EUV有望在這個十年結(jié)束后成為現(xiàn)實。


一條公式指導(dǎo)的行業(yè)


在ASML全球各地的辦公室,都粘貼著一個光學(xué)領(lǐng)域的公式——瑞利準(zhǔn)則。


其中,CD (critical dimension)是臨界尺寸,用以衡量光刻系統(tǒng)可以印刷的最小結(jié)構(gòu)的尺寸;λ是光源的波長;NA為數(shù)值孔徑,表示光線的入射角;k1 一個是與光學(xué)和工藝優(yōu)化相關(guān)的常數(shù)。



如公式所示,為了讓CD更小,在k1不變的情況下,可以縮小λ,或者提高NA。這也正是過去多年光刻機(jī)光源從波長為365nm的i-line、KrF、ArF、ArF Immersion向波長為13.5nm的EUV演進(jìn)的原因。



至于NA方面,按照ASML所說,使用較大NA 的透鏡/反射鏡,可以打印較小的結(jié)構(gòu)。而除了更大的鏡頭外,ASML還通過在最后一個鏡頭元件和晶圓之間保持一層薄薄的水膜,利用水的breaking index 來增加 NA(所謂的浸沒系統(tǒng)),從而增加了我們 ArF 系統(tǒng)的 NA。而在波長向 EUV 邁進(jìn)之后,ASML 也正在開發(fā)下一代 EUV 系統(tǒng)——EUV 0.55 NA(高 NA),我們將數(shù)值孔徑從 0.33 提高到 0.55。


ASML解析道,光刻系統(tǒng)本質(zhì)上是一個投影系統(tǒng)。例如在其DUV 系統(tǒng)中,光線通過將要打印的圖案藍(lán)圖(稱為“mask”或“reticle”)投射;而在EUV 系統(tǒng)中,光通過reticle反射。通過在光中編碼圖案(pattern encoded),系統(tǒng)的光學(xué)器件會收縮(shrink)并將圖案聚焦到光敏硅片上。圖案打印完成后,系統(tǒng)會稍微移動晶圓,并在晶圓上制作另一份副本。


在芯片制造過程中,光刻機(jī)不斷重復(fù)這個過程,直到晶圓被圖案覆蓋,完成晶圓芯片的一層。要制作完整的微芯片,需要逐層重復(fù)此過程,堆疊圖案以創(chuàng)建集成電路 (IC)。按照ASML解析說,最簡單的芯片有大約 40 層,而而最復(fù)雜的芯片可以有 150 多層。


“要打印的特征的大小因?qū)佣?,這意味著不同類型的光刻系統(tǒng)用于不同的層——我們最新一代的 EUV 系統(tǒng)用于具有最小特征的最關(guān)鍵層,而我們的 ArFi, ArF、KrF 和 i-line 系統(tǒng)可用于具有較大特征的不太關(guān)鍵的層?!盇SML在財報中說。



如上文所說,為了在關(guān)鍵層做更小的CD,ASML正在推進(jìn)數(shù)值孔徑為0.55的High-NA光刻機(jī),Martin van den Brink表示,客戶將在2024到2025間在其上面進(jìn)行研發(fā),并有望在2025到2026年間進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)。


Hyper NA成為可能


在去年九月接受荷蘭媒體bits-chips采訪的時候Martin van den Brink曾直言:“光刻技術(shù)的過渡期很糟糕。因為如果你搞砸了,事情就會變得一團(tuán)糟,尤其是現(xiàn)在這個組織已經(jīng)這么大了?!彼瑫r也指出,和從DUV向EUV演進(jìn)不一樣,對于High-NA光刻機(jī),風(fēng)險會小很多,這主要是因為設(shè)備上的基礎(chǔ)設(shè)施改變不大。


“開發(fā)High-NA 技術(shù)的最大挑戰(zhàn)是為 EUV 光學(xué)器件構(gòu)建計量工具。High-NA 反射鏡的尺寸是前一代產(chǎn)品的兩倍,并且需要在 20 皮米內(nèi)保持平坦。要實現(xiàn)這些目的,需要在一個大到‘你可以在其中容納半個公司’的真空容器中進(jìn)行驗證?!盡artin van den Brink說。



Martin van den Brink表示,在2017年剛開始啟動High NA EUV項目的時候,他認(rèn)為這將是EUV光刻機(jī)的最后一個NA,因為當(dāng)時的他認(rèn)為,High NA來得太晚了,沒有足夠的微縮能夠來收回投資。


他同時還透露,最開始其合作伙伴蔡司也不是很想?yún)⑴c這個項目。


雖然困難重重,但High NA EUV光刻機(jī)就快成為現(xiàn)實了。正如報道中所說,半導(dǎo)體業(yè)界還想知道的一個事情是,High-NA是否還有繼任者。



報道指出,ASML 的技術(shù)副總裁 Jos Benschop 已經(jīng)在2021年的 SPIE 高級光刻會議上透露,可能的替代方案,即波長的新臺階,不是一個選擇。這與角度有關(guān)——EUV 反射鏡反射光的效率在很大程度上取決于入射角。波長的降低會改變角度范圍,這樣透鏡就必須變得太大而無法補(bǔ)償。雖然ASML 正在研究它,但Van den Brink表示,就個人而言,他不認(rèn)為 hyper-NA 會被證明是可行的。“我們正在研究它,但這并不意味著它會投入生產(chǎn)。多年來,我一直懷疑 high-NA 將是最后一個 NA,而且這個信念沒有改變?!盫an den Brink說。


據(jù)他所說,從技術(shù)上看,hyper-NA(高于0.7,可能是0.75)理論上是可以做到的。但他也同時提出:市場上還有多少空間可以容納更大的鏡頭?我們可以出售這些系統(tǒng)嗎?他在當(dāng)時還強(qiáng)調(diào),如果Hyper-NA 的成本增長速度與我們在 high-NA 中看到的一樣快,那么它在經(jīng)濟(jì)上幾乎是不可行的。


但是,在日前的財報中,Van den Brink說,我可以談?wù)?NA 高于 0.7 的 EUV(稱為 Hyper NA)可能在本十年結(jié)束后不久成為現(xiàn)實(I could talk about EUV with an NA higher than 0.7 (known as Hyper NA) potentially becoming a reality shortly after the end of this decade);。然而,接下來最合適的指南實際上是:這一切都取決于成本。我們需要越來越多地關(guān)注降低成本——這意味著不是減少資源,而是確保我們推向市場的解決方案更簡單、更可持續(xù)、更有效、更易于維護(hù)、更易于制造且更具可擴(kuò)展性。


Van den Brink強(qiáng)調(diào),如果我在不了解對這些產(chǎn)品施加的成本和復(fù)雜性限制,就貿(mào)貿(mào)然轉(zhuǎn)向下一個產(chǎn)品是不負(fù)責(zé)任的。這也正是ASML對將于 2023 年上市的新型光學(xué)計量系統(tǒng)所做的。公司在緊張的成本參數(shù)范圍內(nèi)重新審視了這個項目,并且已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)比以前更具成本效益許多倍的新技術(shù)。同樣,ASML正在繼續(xù)努力控制當(dāng)前0.33 NA EUV 系統(tǒng)以及High-NA 和 Hyper-NA 系統(tǒng)的成本,以確保微縮的需求仍然強(qiáng)勁。


“十年前,當(dāng)我們開發(fā) High-NA 時,我們無法想象 NA 超過 0.55 甚至存在。所以 Hyper-NA 是非常非常難以實現(xiàn)的。很棒的是我們的業(yè)務(wù)和研發(fā)能力可以同時處理所有這些事情。我們可以開發(fā)像 Hyper-NA 這樣的技術(shù),同時關(guān)注成本控制、簡單性、可持續(xù)性、可制造性和可維護(hù)性?!盫an den Brink在財報中說。


換而言之,Hyper-NA EUV光刻機(jī)可能真的要成為現(xiàn)實了。