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用14/28nm工藝做出7nm芯片的性能,是中國(guó)芯接下來(lái)要努力的方向

2023-02-02 來(lái)源: 互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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關(guān)鍵詞: 光刻機(jī) 半導(dǎo)體 英特爾 TSMC

美國(guó)對(duì)中國(guó)的芯片制裁,近日又傳出了新消息,那就是美國(guó)已經(jīng)聯(lián)合上了荷蘭和日本,就限制向中國(guó)出口先進(jìn)芯片制造設(shè)備達(dá)成協(xié)議。

中間會(huì)涉及到ASML、尼康、東京電子等企業(yè)的設(shè)備產(chǎn)品,主要是光刻機(jī)、半導(dǎo)體材料等等,特別是14nm及以下的設(shè)備、材料不準(zhǔn)賣給中國(guó)廠商。

事實(shí)上,大家都清楚,美國(guó)的目標(biāo)很直白,就是要鎖死我們的芯片工藝在14/16nm,不讓我們進(jìn)入16/14nm以下先進(jìn)邏輯制程,聯(lián)合荷蘭、日本的目的也是希望這個(gè)目標(biāo)能順利實(shí)現(xiàn)。

這樣中國(guó)的芯片能力,就只能停留在成熟(落后)階段,這樣中國(guó)就得一直依賴美國(guó)的芯片,除了花巨資進(jìn)口外,還要被美國(guó)卡脖子。

那么如何在當(dāng)前這種困難局勢(shì)下,進(jìn)行突破?方向很簡(jiǎn)單,那就是國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈進(jìn)行突破,比如實(shí)現(xiàn)EUV光刻機(jī),實(shí)現(xiàn)其它半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料的量產(chǎn),達(dá)到更先進(jìn)的工藝,比如7nm、5nm等,這樣封鎖就不攻自破了。

但大家都清楚,這種突破不是短時(shí)間之內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)的,得集3年、5年、甚至10年之功才行,所以期待國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈短時(shí)間內(nèi)替代,是不可能做到的。

那么接下來(lái),中國(guó)芯的方向,則是利用現(xiàn)在已經(jīng)擁有的14nm/28nm工藝,來(lái)實(shí)現(xiàn)7nm的性能, 甚至達(dá)到5nm、3nm這樣的性能。

估計(jì)會(huì)有網(wǎng)友認(rèn)為,這怎么可能?如果28nm/14nm能實(shí)現(xiàn)7nm的芯片,那還要7nm工藝做什么?

先別急著下結(jié)論,用28nm/14nm工藝,實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有的7nm芯片的水平,并不是天方夜談,有幾種方式的。

比如用新的材料,比如碳化硅,碳基等之前已經(jīng)有科學(xué)家驗(yàn)證過(guò),如果用碳基芯片,40nm就能達(dá)到7nm的性能水平。

另外是在芯片的工藝、架構(gòu)上下功夫,進(jìn)行創(chuàng)新,此外還可以用小芯片(Chiplet)的技術(shù),進(jìn)行芯片堆疊等。

還可以從芯片的功耗、尺寸等方面出發(fā),盡可能的壓榨出當(dāng)前我們掌握的14nm/28nm工藝的極限,就像intel打磨14nm工藝就好幾年,還讓intel的14nm芯片,也不輸給AMD的7nm芯片,這是一樣的道理。

當(dāng)然,要實(shí)現(xiàn)這個(gè)不容易,但也不是沒(méi)有可能的,你覺(jué)得呢?畢竟現(xiàn)在沒(méi)有更好的路可走,我們只能基于現(xiàn)有的已經(jīng)掌握的技術(shù),來(lái)實(shí)現(xiàn)更大的可能性。