年關將至,DRAM及NANDFlash價格走勢如何?
DRAM 整體價格曲線緩步下滑
年底到來,各廠區(qū)進入盤點時序,動能表現停滯,目前也仍因供過于求的現象存在,僅能不斷下修需求,購貨動作相對有限,而大陸地區(qū)報價雖然減少,但整體價格曲線依舊緩步下滑,跌價態(tài)勢似乎未有緩解跡象。
DDR4 1Gx8 2666/3200部分,SK Hynix DJR-XNC市場價格維持在USD1.90~1.93;Samsung 1Gx8 3200 WC-BCWE報價落在USD1.98左右,WC-BCTD報價亦同樣維持在USD1.94附近。
DDR4 512x8 2400部分,Samsung WE-BCRC價格維持在USD1.34上下,WF-BCTD報價亦同樣維持在USD1.32左右。
DDR4 512x16 2666/3200部分,SK Hynix DJR-XNC報價落在USD2.05~2.10上下,CJR-VKC一般報價維持在USD2.3x附近;Samsung WC-BCWE價格落在USD1.86上下,WC-BCTD市場價格維持在USD1.82。
DDR4 256x16部分,Samsung WF-BCTD價格維持在USD1.24~1.25附近。
模組現貨價格參考:
KST DDR4 8G 2666 $17.00
KST DDR4 16G 2666 $34.00
KST DDR4 32G 2666 $71.50
KST DDR4 8G 3200 $17.50
KST DDR4 16G 3200 $35.00
KST DDR4 32G 3200 $73.50
NAND Flash 買氣動能斷斷續(xù)續(xù)
本周適逢年底歲休盤點時程,工廠端進貨時程大多于上周五截止,加上歐美及香港地區(qū)圣誕連假影響,市場整體表現較為安靜,偶有零星詢單于SLC、eMMC或相應成品,但因交易條件時程多有限制,且買方預期未來仍有跌勢,目標大多偏低,且議價動作較不積極,造成買氣動能呈現斷斷續(xù)續(xù),交易情況亦不理想,整體盤勢大致維持平緩格局,偶有微幅振蕩修正。
其中,Samsung部分,供需雙方大多停止交易,僅剩零星詢單,市場價格并未出現下修情況,仍以平盤格局釋出。
SK Hynix SLC低容量仍有些許詢單,但因需求數量過少,雙方態(tài)度被動且議價空間過于狹隘,交易情況略顯停滯。
Micron SLC 2G/4G報價疲軟,買方皆無意愿承接,交易情況不佳。
Kioxia SLC工廠持續(xù)調節(jié)庫存降至安全庫存水位以下,盤勢呈現小幅震蕩。
TF卡 整體價格變化較小
本周TF卡表現相對安靜,臨近年末,廠商陸續(xù)進入年底盤點階段,買賣雙方動作皆不積極,整體買氣稍顯停滯,市場報價不多,整體價格變化不大,成交情況較為蕭條。
