近日，中科大國(guó)家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測(cè)器）成功被大會(huì)接收。

中國(guó)科學(xué)院院士郝躍表示，氧化鎵材料是最有可能在未來(lái)大放異彩的材料之一，在未來(lái)的10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競(jìng)爭(zhēng)力的電力電子器件，會(huì)直接與碳化硅器件競(jìng)爭(zhēng)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，氧化鎵有望替代碳化硅和氮化鎵成為新一代半導(dǎo)體材料的代表。目前，各國(guó)的半導(dǎo)體企業(yè)都爭(zhēng)先恐后布局，氧化鎵正在逐漸成為半導(dǎo)體材料界一顆冉冉升起的新星。

公開資料顯示，氧化鎵擁有超寬帶隙（4.2-4.9eV）、超高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)（8MV/cm）、超強(qiáng)透明導(dǎo)電性等優(yōu)異物理性能，導(dǎo)通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發(fā)電等領(lǐng)域在能源方面的消耗。

據(jù)NCT預(yù)測(cè)，到2030年氧化鎵晶圓的市場(chǎng)將達(dá)到約590億日元（約4.2億美元）。有數(shù)據(jù)顯示，到2030年，氧化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)15億美元。


出道即巔峰

第四代半導(dǎo)體材料有不少“潛力股”，但其中氮化鋁（AlN）和金剛石仍面臨大量科學(xué)問題亟待解決，氧化鎵則成為繼第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）之后最具市場(chǎng)潛力的材料，很有可能在未來(lái)10年左右稱霸市場(chǎng)。

氧化鎵有5種同分異構(gòu)體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至1000℃或水熱條件（即濕法）加熱至300℃以上時(shí)，其他所有亞穩(wěn)相的異構(gòu)體都會(huì)被轉(zhuǎn)換為β相異構(gòu)體。

β相氧化鎵材料是目前半導(dǎo)體界研究最多，也是離應(yīng)用最近的材料，目前產(chǎn)業(yè)化均以β相氧化鎵為主，下文討論內(nèi)容也均指代β相氧化鎵。

β相氧化鎵的熔點(diǎn)為1820 ℃，其粉末呈白色三角形結(jié)晶顆粒，密度為5.95g/cm3，不溶于水。其單晶具有一定的電導(dǎo)率，不易被化學(xué)腐蝕，且機(jī)械強(qiáng)度高，高溫下性能穩(wěn)定，有高的可見光和紫外光的透明度，尤其在紫外和藍(lán)光區(qū)域透明，這是傳統(tǒng)的透明導(dǎo)電材料所不具備的優(yōu)點(diǎn)。

氧化鎵天資卓越，材料屬性天生麗質(zhì)，出生就注定能夠成為市場(chǎng)熱捧。它擁有著超寬帶隙（4.2~4.9eV）、超高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)（8MV/cm）、較短的吸收截止邊及超強(qiáng)的透明導(dǎo)電性等優(yōu)異的物理性能。氧化鎵器件的導(dǎo)通特性幾乎是于碳化硅（SiC）的10倍，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)是碳化硅的3倍多。

不止如此，它的化學(xué)和熱穩(wěn)定性也較為良好，同時(shí)能以比碳化硅和氮化鎵更低的成本獲得大尺寸、高質(zhì)量、可摻雜的塊狀單晶。

但材料領(lǐng)域從來(lái)沒有十全十美，也從來(lái)不存在單兵作戰(zhàn)。一方面，氧化鎵的遷移率和導(dǎo)熱率低，不及碳化硅和氮化鎵，可能受到自熱效應(yīng)影響，從而導(dǎo)致設(shè)備性能下降；另一方面，實(shí)現(xiàn)p型摻雜難度較大，難以制造p型半導(dǎo)體，成為實(shí)現(xiàn)高性能器件的主要障礙。

好在研究人員發(fā)現(xiàn)，當(dāng)溫度由室溫升高至250℃時(shí)，氧化鎵制造的器件性能不會(huì)出現(xiàn)明顯的衰退，實(shí)際應(yīng)用中很少會(huì)超過(guò)250℃，并且氧化鎵器件可以非常小、非常薄，所以即使熱導(dǎo)率低，也可以非常有效地進(jìn)行熱管理。同時(shí)，業(yè)界已設(shè)計(jì)多樣的器件構(gòu)型，有效規(guī)避了p型參雜困難的問題，實(shí)現(xiàn)了良好的器件性能。

雖然這兩個(gè)缺陷可以避免，但實(shí)際應(yīng)用中仍需進(jìn)一步探討。

使用氧化鎵制作的半導(dǎo)體器件可以實(shí)現(xiàn)更耐高壓、更小體積、更低損耗，因此它在光電探測(cè)、功率器件、射頻器件、氣敏傳感、光催化、信息存儲(chǔ)和太陽(yáng)能利用等都有潛在應(yīng)用價(jià)值。目前為止，日盲紫外光電探測(cè)器件和功率器件（SBD、MOSFET）是氧化鎵商業(yè)化趨勢(shì)明朗的兩個(gè)領(lǐng)域。

百家爭(zhēng)鳴，恐落人后

日本企業(yè)Novell Crystal Technology作為氧化鎵晶體研發(fā)領(lǐng)域的先驅(qū)，是世界上最早能夠量產(chǎn)氧化鎵基礎(chǔ)材料（單晶和外延）及器件的企業(yè)，正在聯(lián)合村田制作所、三菱電機(jī)、日本電裝和富士電機(jī)等科技巨頭，以及東京農(nóng)工大學(xué)、京都大學(xué)和日本國(guó)家信息與通信研究院等科研機(jī)構(gòu)，推動(dòng)氧化鎵單晶及襯底材料以及下游功率器件的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

近日，Novell Crystal Technology與佐賀大學(xué)合作攻克了其第二代氧化鎵4英寸外延片中由外延式沉積成膜過(guò)程中產(chǎn)生的一種特定粉末所造成的缺陷過(guò)多問題。通過(guò)改善成膜條件之后，成功制造出了第三代氧化鎵4英寸外延片，缺陷降低到0.7個(gè)／c㎡，相較上一代產(chǎn)品，缺陷降至7%左右。

此外，Novell Crystal Technology還完成了300A～500A級(jí)的大型氧化鎵肖特基勢(shì)壘二極管的原型樣品制作。這將使氧化鎵功率器件能夠真正被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車等需要100A級(jí)功率器件的市場(chǎng)中。預(yù)計(jì)到2030年左右，以原油計(jì)算，節(jié)能效果將超過(guò)10萬(wàn)千升/年。

我國(guó)也在進(jìn)行氧化鎵的研發(fā)。中國(guó)科協(xié)發(fā)布的2021年度“科創(chuàng)中國(guó)”系列榜單中，中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的科研成果“大尺寸氧化鎵單晶薄膜異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)及核心裝備”榮登“先導(dǎo)技術(shù)榜”。王鋼教授團(tuán)隊(duì)研發(fā)的設(shè)備通過(guò)獨(dú)特的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)，解決了氧化鎵薄膜材料異質(zhì)外延生長(zhǎng)過(guò)程中預(yù)反應(yīng)強(qiáng)等問題，提高了批次的均勻性和良率。同時(shí)，采用多層勻氣送氣結(jié)構(gòu)和特種噴射技術(shù)以及加熱控制系統(tǒng)，解決了大容量大尺寸反應(yīng)腔加工制造過(guò)程中的焊接組裝問題，有望成為我國(guó)新興超寬禁帶功率半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化突破口，推動(dòng)我國(guó)氧化鎵基功率電子器件的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

而在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有全面領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的美國(guó)，正在從前沿軍事技術(shù)布局的角度大力發(fā)展氧化鎵材料及功率器件。美國(guó)空軍研究實(shí)驗(yàn)室、美國(guó)海軍實(shí)驗(yàn)室和美國(guó)宇航局，積極尋求與美國(guó)高校和全球企業(yè)合作，開發(fā)耐更高電壓、尺寸更小、更耐輻照的氧化鎵功率器件。德國(guó)萊布尼茨晶體生長(zhǎng)研究所、法國(guó)圣戈班等全球企業(yè)/科研機(jī)構(gòu)也加入了氧化鎵材料及器件研發(fā)的浪潮中，這種半導(dǎo)體材料可謂是吸引了世界的廣泛關(guān)注。

我國(guó)研究氧化鎵的機(jī)構(gòu)和高校較多，也取得了很多研究成果，有望在應(yīng)用場(chǎng)景和需求量逐漸明確之后，進(jìn)行科技成果轉(zhuǎn)移。專家表示，氧化鎵基本尚未產(chǎn)業(yè)化，中國(guó)企業(yè)機(jī)會(huì)很多，要找準(zhǔn)需求點(diǎn)，利用好現(xiàn)有的科研成果，以取得發(fā)展的優(yōu)勢(shì)。


國(guó)內(nèi)投融資開始涌動(dòng)

氧化鎵是未來(lái)十年的生意，行業(yè)分析人士表示，預(yù)計(jì)到2030年，全球氧化鎵及功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到98.6億元。

在產(chǎn)業(yè)化方面，國(guó)內(nèi)剛剛起步，但很多投資基金已經(jīng)開始關(guān)注到氧化鎵的未來(lái)，尋求相關(guān)創(chuàng)業(yè)項(xiàng)目和創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，推動(dòng)國(guó)內(nèi)氧化鎵發(fā)展。北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、北京銘鎵半導(dǎo)體、深圳進(jìn)化半導(dǎo)體是目前在投融資市場(chǎng)較為活躍的四家公司——

北京鎵族科技是國(guó)內(nèi)入局比較早的一家公司，注冊(cè)成立于2017年年底，是國(guó)內(nèi)首家、國(guó)際第二家專業(yè)從事氧化鎵半導(dǎo)體材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化的高科技公司，是北京郵電大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)科研成果轉(zhuǎn)化形成公司；

杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年12月，是由中國(guó)科學(xué)院上海光機(jī)所與杭州市富陽(yáng)區(qū)政府共建的硬科技產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)——杭州光機(jī)所孵化的科技型企業(yè)；

北京銘鎵半導(dǎo)體是可實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)工業(yè)級(jí)氧化鎵半導(dǎo)體晶片小批量供貨的中國(guó)廠家，這家公司已開始布局“氧化鎵”材料產(chǎn)業(yè)全鏈路；

深圳進(jìn)化半導(dǎo)體則稱預(yù)計(jì)在一年內(nèi)實(shí)現(xiàn)2英寸β相的單晶襯底的小批量生產(chǎn)和銷售，目前已有潛在客戶表達(dá)了聯(lián)合測(cè)試意愿。

據(jù)《中國(guó)電子報(bào)》預(yù)測(cè)，輻射探測(cè)傳感器芯片和功率校正、逆變、高功率和超大功率芯片是氧化鎵兩個(gè)主要方向，尤其是在超寬禁帶系統(tǒng)可用功率和電壓范圍方面會(huì)發(fā)揮重要作用，包括電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器、電動(dòng)汽車和光伏太陽(yáng)能系統(tǒng)等有利應(yīng)用場(chǎng)景。

進(jìn)化半導(dǎo)體公司CEO許照原在36氪訪談中表示，碳化硅用了40年時(shí)間發(fā)展，氧化鎵則僅用了10年，踩著碳化硅腳印前進(jìn)的氧化鎵很有可能有類似的發(fā)展行徑：先在市場(chǎng)門檻較低的快充和工業(yè)電源領(lǐng)域落地，后在汽車領(lǐng)域爆發(fā)。

氧化鎵在十年內(nèi)已取得重大進(jìn)展，眼看離產(chǎn)業(yè)只差一步之遙，但針對(duì)材料制備和相關(guān)性質(zhì)研究仍然不夠系統(tǒng)和深入，若想統(tǒng)治未來(lái)，掌握現(xiàn)在這十年是關(guān)鍵。

超越氮化鎵，未來(lái)可期

雖然仍處于研發(fā)階段，但氧化鎵應(yīng)用前景已經(jīng)被多領(lǐng)域廣泛看好。

李成明指出，以氧化鎵為基礎(chǔ)材料的功率器件具有更高的擊穿電壓與更低的導(dǎo)通電阻，從而擁有更低的導(dǎo)通損耗和更高的功率轉(zhuǎn)換效率，在功率電子器件方面具有極大的應(yīng)用潛力。而在日盲紫外探測(cè)方面，氧化鎵具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可以利用這點(diǎn)制作光電子器件。如制作對(duì)紫外區(qū)域、波長(zhǎng)短、禁帶寬等有需求的日盲光電器件。

芯謀研究高級(jí)分析師張彬磊向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示，氧化鎵作為一種新興的超寬帶隙導(dǎo)體，擁有4.9~5.3eV的超大帶隙（SiC和GaN的帶隙為3.3eV，硅則僅有1.1eV），讓這種新材料擁有更高的功率特性以及深紫外光電特性，同時(shí)這種材料又具有很好的熱穩(wěn)定性，因此有望基于氧化鎵材料開發(fā)出小型化、高效的、耐熱性優(yōu)良的超大功率晶體管。

張彬磊預(yù)測(cè)，氧化鎵未來(lái)的主要應(yīng)用場(chǎng)景：一是在輻射探測(cè)領(lǐng)域的傳感器芯片，另一個(gè)將會(huì)是在大功率和超大功率芯片方面。

池憲念則認(rèn)為，氧化鎵在超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面會(huì)發(fā)揮重要作用。所以，電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器、電動(dòng)汽車和光伏太陽(yáng)能系統(tǒng)等將是氧化鎵的有利應(yīng)用場(chǎng)景。

目前，市場(chǎng)對(duì)于氧化鎵的渴望愈發(fā)強(qiáng)烈，NCT預(yù)測(cè)氧化鎵晶圓的市場(chǎng)到2030年度將擴(kuò)大到約590億日元（約合4.7億美元）規(guī)模，而從市場(chǎng)調(diào)查公司富士經(jīng)濟(jì)對(duì)寬禁帶功率半導(dǎo)體元件的全球市場(chǎng)預(yù)測(cè)來(lái)看，2030年氧化鎵功率元件的市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)達(dá)到1542億日元（約合12.2億美元），這個(gè)市場(chǎng)規(guī)模要比氮化鎵功率元件的規(guī)模（約合8.6億美元）還要大。

“實(shí)際上半導(dǎo)體新材料未來(lái)市場(chǎng)規(guī)模的預(yù)測(cè)必然取決于它的制造成本快速降低，氧化鎵的晶圓制備思路已經(jīng)回歸到單晶硅的制備體系軌道，再加上為了適應(yīng)新材料半導(dǎo)體架構(gòu)的適配設(shè)計(jì)，氧化鎵晶圓的市場(chǎng)將超出我們的想象。”李成明表示。

池憲念則更加大膽地預(yù)測(cè)，氧化鎵比起以往的電子元件更有效率，在晶圓價(jià)格方面也比碳化硅等要更為低廉。2030年氧化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)15億美元。