原因是只有ASML能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)，而要目前的芯片制造流程和工藝下，EUV光刻機(jī)是制造7nm及以下芯片必不可少的機(jī)器，沒有替代品。

所以我們看到三星、臺(tái)積電在爭(zhēng)搶EUV光刻機(jī)，因?yàn)镋UV光刻機(jī)就決定了雙方的產(chǎn)能、工藝等等。

而我們也清楚，國(guó)內(nèi)的中芯曾經(jīng)也訂購(gòu)過(guò)一臺(tái)EUV光刻機(jī)，不過(guò)美國(guó)中從干涉，現(xiàn)在是苦等EUV光刻機(jī)而不得，工藝停留在14nm，很難前進(jìn)。

這樣的情況，當(dāng)然是全球所有晶圓廠，甚至可以說(shuō)是全球的產(chǎn)導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都不愿意看到的，一家企業(yè)卡住全球半導(dǎo)體的脖子，這怎么能行呢？

所以大家都在想辦法，繞過(guò)EUV光刻機(jī)，或者找到替代EUV光刻機(jī)的設(shè)備，解決卡脖子的問題。

目前有想從光刻機(jī)技術(shù)上解決的，比如佳能押注NIL技術(shù)，也就是納米壓印，將芯片的電路板，像打印機(jī)一樣，打印到硅片上，能夠比EUV光刻機(jī)精度更高，功耗更低，成本更低。

而美國(guó)企業(yè)在搞EBL電子束光刻機(jī)，用電子來(lái)替代EUV光源來(lái)進(jìn)行光刻，美國(guó)公司Zyvex甚至用電子束光刻技術(shù)制造了768皮米，也就是0.7nm的芯片，但目前是這種光刻機(jī)無(wú)法大規(guī)模量芯片，產(chǎn)能不行，但還有改進(jìn)空間。

另外還有自組裝（DSA）光刻技術(shù)，利用新的化學(xué)材料，讓電路圖直接在硅片上生成，不需要光刻，像比利時(shí)微電子中心、麻省理工學(xué)院，他們都建立了自組裝產(chǎn)線進(jìn)行研究。

而除了這三種技術(shù)外，還有X-射線光刻。以及通過(guò)改進(jìn)晶體管結(jié)構(gòu)，比如3D封裝、堆疊技術(shù)、Chiplet技術(shù)等，通過(guò)這些技術(shù)來(lái)微縮晶體管，提升晶體管密度，從而不需要EUV光刻機(jī)，也能提升性能。

還有就是研發(fā)新的材料，比如碳基芯片、光電子芯片、量子芯片等，通過(guò)這些新的技術(shù)，來(lái)繞過(guò)EUV光刻機(jī)。

可以說(shuō)，目前ASML也是壓力山大，畢竟ASML的帝國(guó)，是靠EUV光刻機(jī)鞏固的，一旦EUV不再是不可替代，ASML的地位堪憂。

更重要是，通過(guò)ASML構(gòu)成的半導(dǎo)體生態(tài)，也將迎來(lái)大洗牌，這個(gè)洗牌，可能會(huì)影響全球的半導(dǎo)體格局，所以誰(shuí)都不想錯(cuò)過(guò)機(jī)會(huì)，誰(shuí)也無(wú)法置身事外。