邏輯芯片，也就是大家熟悉的手機(jī)Soc、CPU、GPU等芯片，工藝提升的方面主要是進(jìn)行平面微縮，即制程越來(lái)越先進(jìn)，XXnm中這個(gè)XX數(shù)字越來(lái)越小。

但在是NAND閃存領(lǐng)域，單純靠微縮晶體管，是不可行的，因?yàn)檠芯勘硎?，?dāng)工藝達(dá)到了15nm左右時(shí)，再提升工藝，存儲(chǔ)芯片的性能會(huì)非常不穩(wěn)定，作為存儲(chǔ)芯片，數(shù)據(jù)無(wú)價(jià)，穩(wěn)定排第一。

所以不管是三星、還是美光、SK海力士們，這些芯片巨頭們發(fā)現(xiàn)，在NAND閃存芯片上，提升工藝是一方面，另外將芯片進(jìn)行3D立體堆疊，更是一個(gè)重要的方向。

所以我們看到介紹存儲(chǔ)芯片時(shí)，都是講XX層堆疊，比如64層堆疊，128層堆疊，192層堆疊等，層數(shù)越多，存儲(chǔ)密度越高，技術(shù)越先進(jìn)。

目前全球范圍內(nèi)，主要產(chǎn)品還是192層堆疊的NAND閃存芯片，而美光在今年上半年發(fā)布了232層堆疊的芯片，不過(guò)沒(méi)有大規(guī)模量產(chǎn)，也就是說(shuō)還是PPT芯片。

但是，近日我們發(fā)現(xiàn)，國(guó)產(chǎn)NAND芯片支棱起來(lái)了，232層堆疊的NAND閃存芯片，我們領(lǐng)先于三星、美光率先規(guī)模量產(chǎn)了。

這家廠(chǎng)商就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)，大家發(fā)現(xiàn)目前在一些國(guó)產(chǎn)SSD中，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)大量使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層的NAND閃存，這也是全球率先量產(chǎn)的232層NAND閃存。

這意味著長(zhǎng)期以來(lái)，被美日韓壟斷的NAND市場(chǎng)，中國(guó)廠(chǎng)商領(lǐng)先打破了壟斷。而2016年才成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，其實(shí)只花了6年時(shí)間，就實(shí)現(xiàn)了從落后10多年，到領(lǐng)先于全球。

對(duì)此不知道大家怎么看？可見(jiàn)，只要國(guó)內(nèi)的企業(yè)肯鉆研，肯努力，就沒(méi)有中國(guó)搞不定的芯片，NAND如此，CPU、GPU也是如此，你覺(jué)得呢？

當(dāng)然，量產(chǎn)了232層的NAND閃存芯片后，還只是邁出了一小步，畢竟我們還需要擴(kuò)大市場(chǎng)，但相信有了技術(shù)，市場(chǎng)也就不用愁了，揚(yáng)以三星、美光等廠(chǎng)商顫抖吧，等著長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)威吧。