三星最近公布了其半導體技術(shù)路線圖，包括 1.4 nm、新內(nèi)存技術(shù)和“無晶圓廠的整體解決方案”的計劃。

自 2017 年以來，三星每年舉辦一次“技術(shù)日”研討會，期間將發(fā)布新技術(shù)、討論行業(yè)狀況并公布未來計劃。在 2022 年代工論壇之后舉行的 2022 年技術(shù)日上，三星為其即將推出的 1.4nm 工藝節(jié)點、內(nèi)存路線圖以及擴大其行業(yè)影響力的目標制定了計劃。在本文中，我們將討論會議的一些主要亮點。

三星將著眼于 1.4nm

在三星 2022 年代工論壇上，該公司宣布了繼續(xù)擴展其工藝技術(shù)的計劃。今年早些時候，三星開始生產(chǎn)其 3nm 節(jié)點，這是業(yè)內(nèi)第一家完成這一壯舉的代工廠?，F(xiàn)在，三星已經(jīng)將目光投向了下一代工藝技術(shù)，特別是 2nm 節(jié)點。

MOSFET 演進達到先進節(jié)點。

三星計劃到 2025 年實現(xiàn) 2nm 生產(chǎn)。實現(xiàn)這一規(guī)模將需要三星基于環(huán)柵 (GAA) 的晶體管技術(shù)。除此之外，該公司設(shè)想到 2027 年達到 1.4nm 節(jié)點，并計劃在同年將其先進節(jié)點產(chǎn)量提高兩倍。

Big V-NAND 和 DRAM 計劃正在進行中

三星還推出了其第八代和第九代 V-NAND 產(chǎn)品以及第五代 DRAM 產(chǎn)品。

該公司目前為 V-NAND 提供 512 Gb TLC產(chǎn)品，但預計今年晚些時候會發(fā)布 1 TB的TLC 版本。第五代 DRAM 產(chǎn)品將是 10nm (1b) 器件，將于 2023 年進入量產(chǎn)階段。即將推出的其他 DRAM 解決方案包括 32 Gb DDR5 解決方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

三星最新 DDR5 解決方案

三星對其 V-NAND 有很大的計劃，聲稱到 2030 年，它將實現(xiàn) 1000 層的 V-NAND。為了實現(xiàn)這一目標，三星正在從其當前的 TLC 架構(gòu)過渡到QLC架構(gòu)，以提高密度并啟用更多層。

三星還將在 DRAM 研發(fā)上投入更多資源，研究新的架構(gòu)和材料，例如 High-K，以幫助將 DRAM 工藝擴展到 10 納米以下。該公司打算進一步開發(fā)其他 DRAM 解決方案，例如內(nèi)存處理 (PIM)。

三星與整個行業(yè)的合作

三星以 2022 年技術(shù)日為契機，制定了一些行業(yè)外展計劃。

三星的系統(tǒng) LSI 業(yè)務(wù)宣布打算成為“無晶圓廠的整體解決方案”。通過這種設(shè)計服務(wù)的方式，該集團意味著它將利用其產(chǎn)品，包括 SoC、PMIC 和安全解決方案，整合到一個供客戶使用的單一平臺中。通過這種方式，三星可以在沒有晶圓廠的情況下為其客戶設(shè)計定制解決方案。

三星還通過擴大貿(mào)易伙伴關(guān)系來擴大其行業(yè)影響力。具體來說，該公司將開設(shè)三星內(nèi)存研究中心 (SMRC)，客戶和供應(yīng)商可以在該中心在各種應(yīng)用和環(huán)境中測試三星內(nèi)存設(shè)備。該中心將與包括紅帽和谷歌在內(nèi)的合作伙伴合作設(shè)計。