說起EUV光刻機，大家都非常熟悉了，這是生產(chǎn)7nm及以下芯片時，必須使用的光刻機。

更重要的是全球僅有ASML一家廠商能夠生產(chǎn)，可以說ASML卡住了全球芯片制造企業(yè)的喉嚨，大家要生產(chǎn)7nm及以下的芯片，就必須找ASML。

不管是臺積電，還是三星，或者intel，都不敢也不能得罪ASML，否則不賣EUV光刻機給你，就“芭比Q”了。

那么EUV光刻機技術(shù)，能夠一直卡住芯片制造企業(yè)的脖子，讓大家無法拒絕么？

并不是的，只怕到2nm時就要走到盡頭了，無法再繼續(xù)支持1.4nm、1nm這樣的更高工藝的芯片了，到這些工藝時，EUV光刻機也光刻不了，要更換新技術(shù)了。

按照ASML CTO的說法，到2025年時，ASML會推出全新一代的極紫外線光刻機，型號會是NXE:5200，其采用的數(shù)值孔徑會達到0.55NA，數(shù)值孔徑越大，精度越高。

之后理論上數(shù)值孔徑還能夠再提升，比如達到0.7等，但已經(jīng)沒太多必要了，非常不值得，因為成本太高了，難度太大，估計0.55NA就是頂點了。

而0.55NA數(shù)值孔徑的EUV光刻機，其處理極限可能也就是2nm、1.8nm左右，而INTEL也計劃用它在2025年左右，量產(chǎn)2nm、1.8nm的芯片。

也就是說如果要制造1.8nm以下的芯片，可能EUV光刻機就無法勝任了，要推出全新一代技術(shù)，至于是什么技術(shù)，目前業(yè)界還沒有定論。

目前美國有公司推出了EBL電子束光刻機，可以生產(chǎn)0.768nm的芯片，但無法大規(guī)模量產(chǎn)。而俄羅斯在研究X射線光刻機，沒有光掩模板，直接光刻，據(jù)稱可以用于1nm芯片，但沒有樣品出來。

但這無不表明，EUV光刻機到了2nm工藝后，可能就走到了盡頭，ASML的壟斷地位無法再保證了，ASML需要研發(fā)更先進的技術(shù)，來穩(wěn)固自己的地位，否則位置可能就會被其它企業(yè)搶走。