說到國產(chǎn)NAND閃存，大家肯定第一個想到長江存儲，但在這一行業(yè)努力的還有很多家。

8月19日，東芯半導體在回答投資者提問時透露，該公司采用19nm先進工藝的NAND Flash閃存產(chǎn)品已完成了首輪流片，目前正在產(chǎn)品調試的過程中。

東芯稱，公司在更新工藝方面不斷鉆研，從38nm、24nm再到正在開發(fā)的19nm的工藝，通過更新工藝來為客戶帶來更具性價比、更高容量的產(chǎn)品。

對于是否會進軍3D NAND閃存，東芯回應稱，目前聚焦于中小容量通用型存儲芯片的研發(fā)、設計和銷售，暫不涉及3D NAND業(yè)務。

另外，車規(guī)級存儲器產(chǎn)品對各項指標都有更高的要求，因此認證、導入時間較長，目前相關產(chǎn)品正在積極研發(fā)和導入過程中。

公開資料顯示，東芯半導體股份有限公司(DoSilicon)成立于2014年，總部位于上海，在深圳、南京、香港、韓國均設有分公司或子公司，致力于成為領先的存儲芯片設計公司，服務全球客戶。

作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權，聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的設計、生產(chǎn)和銷售，是目前國內少數(shù)可以同時提供NAND、NOR、DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。