SK 海力士開發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片,明年上半年量產
2022-08-03
來源:互聯(lián)網
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韓國 SK 海力士(SK Hynix)已經開發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片,它可以用于 PC 存儲設備、智能手機和服務器。上周美光也開始出貨 232 層 NAND 閃存芯片。
SK 海力士宣稱新的 238 層芯片是最小的 NAND 閃存芯片,數(shù)據(jù)傳輸速度相比上代產品提升 50%,讀取數(shù)據(jù)消耗的能量降低 21%。SK 海力士準備于 2023 年上半年開始大規(guī)模生產新芯片。
英特爾 NAND 業(yè)務被 SK 海力士收購后更名為 Solidigm,它與 SK 海力士合計占有全球 NAND 閃存市場的 18%,僅次于三星的 35.3% 和 Kioxia 的 18.9%。
