臺(tái)積電、英特爾、三星等集成電路代工廠正在爭(zhēng)奪最新一代光刻機(jī)。

6月17日，臺(tái)積電高管在美國(guó)硅谷舉行的技術(shù)研討會(huì)上表示，該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥（ASML）的最新一代EUV（極紫外光）光刻機(jī)。

臺(tái)積電研發(fā)高級(jí)副總裁米玉杰在上述研討會(huì)上表示：“展望未來(lái)，臺(tái)積電將在2024年引入高數(shù)值孔徑的極紫外（High-NA EUV）光刻機(jī)，為的是開發(fā)客戶所需相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和模式解決方案，進(jìn)一步推動(dòng)創(chuàng)新?！?/span>

米玉杰并未說明這項(xiàng)設(shè)備何時(shí)將用于量產(chǎn)。不過，臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)隨后說明，臺(tái)積電2024年還不準(zhǔn)備運(yùn)用新的高數(shù)值孔徑EUV工具來(lái)生產(chǎn)，主要使用目的是跟伙伴進(jìn)行研究。

隨著芯片工藝越來(lái)越復(fù)雜先進(jìn)，無(wú)論臺(tái)積電、三星還是英特爾都需要采用EUV光刻機(jī)。

今年早些時(shí)候，ASML對(duì)外表示，正在與其合作伙伴一起開發(fā)下一代High-NA光刻機(jī) ——Twinscan EXE:5000 系列。據(jù)了解，新High-NA光刻機(jī)具有0.55NA（High-NA ）的透鏡，分辨率達(dá)8納米，將非常復(fù)雜、非常龐大且價(jià)格昂貴，更有利于3納米及以上制程的工藝制造。

路透社也曾報(bào)道，ASML公司已經(jīng)獲得了 5 個(gè) High-NA 產(chǎn)品的試點(diǎn)訂單，預(yù)計(jì)將于2024年交付，并有著“超過 5 個(gè)”訂單需要從2025年開始交付的量產(chǎn)型號(hào)。

之前對(duì)EUV技術(shù)不看好的英特爾公司現(xiàn)在積極向EUV技術(shù)靠攏，并希望能夠率先采用最新一代High-NA光刻機(jī)。

英特爾高層之前對(duì)外表示，該公司會(huì)成為首發(fā)用戶，搶下了第一臺(tái)0.55NA的EUV光刻機(jī)，而且首批6臺(tái)中英特爾也占了大頭，臺(tái)積電、三星會(huì)慢一波。英特爾還表示，2025年將開始以高數(shù)值孔徑EUV進(jìn)行生產(chǎn)。

日前正在歐洲訪問的三星集團(tuán)副會(huì)長(zhǎng)、三星集團(tuán)實(shí)際控制人李在镕拜訪ASML。6月17日，韓媒體報(bào)道稱，李在镕在荷蘭訪問ASML之后，已經(jīng)確保取得額外的極紫外光（EUV）微影設(shè)備。

參加臺(tái)積電上述論壇的產(chǎn)業(yè)調(diào)查機(jī)構(gòu)TechInsights半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)學(xué)家赫奇森（G. Dan Hutcheson）說：“臺(tái)積電2024年擁有這種設(shè)備的重要性，在于他們更快速接觸到最先進(jìn)技術(shù)。”

赫奇森指出，EUV技術(shù)已成為走在尖端的關(guān)鍵，高數(shù)值孔徑EUV則是推進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的下一個(gè)重大創(chuàng)新。

臺(tái)積電北美技術(shù)論壇連續(xù)兩年以線上方式舉行，今年于美國(guó)加州圣塔克拉拉市恢復(fù)舉辦實(shí)體論壇。

臺(tái)積電在論壇上首度推出采用納米片電晶體的新一代先進(jìn)2納米（N2）制程技術(shù)，以及支援N3與N3E制程的獨(dú)特TSMC FINFLEX技術(shù)，將成為全球第1家率先提供2納米制程代工服務(wù)的晶圓廠。