據(jù) TheLec 報道，三星電子 2020 年開始在韓國平澤市建設的 P3 晶圓廠，將在下月開始設備的安裝，計劃在今年下半年建成。

 

三星平澤 P3 晶圓廠下月開始設備的安裝，是韓國媒體率先援引消息人士的透露報道的，設備的進入及安裝將持續(xù)到 7 月份，較最初計劃的時間將提前 1 個月。

三星電子在平澤建設的 P3 工廠，占地 70 萬平方米，將成為全球園區(qū)最大的晶圓廠，是三星電子 P2 工廠的 1.7 倍。當然，工廠的投資也會相當龐大，他們計劃未來幾年最少投資 30 萬億韓元，最多則投資 50 萬億韓元，也就是至少投資 240 億美元，最高投資 400 億美元。

從外媒的報道來看，三星電子平澤 P3 晶圓廠，規(guī)劃的是一座既生產(chǎn)存儲芯片，又生產(chǎn)邏輯芯片的工廠，率先投產(chǎn)的是 NAND 閃存，隨后是 DRAM，隨后是采用 3nm 工藝為其他廠商代工晶圓的生產(chǎn)線。

三星電子平澤 P3 晶圓廠率先開始生產(chǎn) NAND 閃存，也就意味著工廠設備的安裝，將從 NAND 閃存生產(chǎn)設備開始，外媒在報道中是表示在 5 月份的第一個周就將開始安裝。

值得注意的是，三星電子的這一座工廠，將大量采用極紫外光刻機。外媒在報道中就提到，這一工廠的 NAND 閃存生產(chǎn)線，將采用極紫外光刻機生產(chǎn)第 7 代 176 層 V-NAND 閃存，為其他廠商代工晶圓的 3nm 工藝，也需要極紫外光刻機。