- 消息人士：三星和SK海力士將首當(dāng)其沖受到美國(guó)對(duì)中國(guó)芯片的打擊
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- DRAM內(nèi)存2個(gè)月跌了57%，三星、SK海力士、美光愁哭了
- 緊追 SK 海力士，三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存
- 消息稱 SK 海力士正開(kāi)發(fā)基于 238層NAND的UFS4.0 閃存
- TrendForce：Q2 全球 DRAM 營(yíng)收 255.9 億美元，三星、SK 海力士共占 70.9% 份額
- 消息稱 SK 海力士將于明年初在美國(guó)新建芯片封裝工廠，耗資數(shù)十億美元
- 全世界都在大力發(fā)展電動(dòng)汽車，SK 電池材料公司宣布向越南 Vingroup 供應(yīng)材料
- 美國(guó)對(duì)華“組合拳”顯成效？傳三星、SK海力士重新評(píng)估對(duì)華投資，或轉(zhuǎn)向美國(guó)
- SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存：傳輸速度提升 50%，能耗減少 21%
