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SAMSUNG/三星KLMDG8JEUD-B04Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMDG8JEUD-B04P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B04Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B04P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B03Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B03P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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SAMSUNG/三星KLMCG4JEUD-B04P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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SAMSUNG/三星KLMCG4JETD-B041 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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