GBU808_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 8A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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描述: 這款GBU封裝的整流橋器件，專為高效能電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。其卓越性能體現(xiàn)在800V的直流反向耐壓及8A的平均整流電流，確保在高電壓大電流環(huán)境下穩(wěn)定工作。正向壓降低至1.1V@8A，有效降低功耗，提升系統(tǒng)效率。而反向電流僅為5uA@800V，展現(xiàn)出出色的阻斷性能，適用于各類需要高品質(zhì)半導(dǎo)體器件的應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
