GBL810_GBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBL 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 8A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 175A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
描述: 此款GBL封裝整流橋器件，專為高效能電源轉換應用打造。其具備高達1000V的反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下安全穩(wěn)定運行。在3A工作電流下，正向壓降VF低至1.1V，有效減少功率損耗并提升整體系統(tǒng)效能。此外，該器件的最大連續(xù)輸出電流可達8A（IO），展現(xiàn)出卓越的電流承載能力，尤其適用于需要處理中高電流強度及高電壓環(huán)境的電路設計。這款整流橋憑借其高性能與高可靠性，成為您實現(xiàn)理想電源轉換方案的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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