DB157S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋 最小包裝：1500圓盤 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@1A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 1.5A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
描述: 這款DBS封裝整流橋器件，針對高效低耗電源轉(zhuǎn)換需求設計。具有高達1000V的反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下持久穩(wěn)定運行。其關鍵特性在于，在1A電流下正向壓降VF低至1.1V，有效優(yōu)化系統(tǒng)能效并減少功耗。同時，器件具備出色的電流處理能力，最大連續(xù)輸出電流可達1.5A（IO），適合中等電流應用場合。憑借精巧的DBS封裝與卓越性能表現(xiàn)，本款整流橋成為電路設計的理想選擇，助您實現(xiàn)高性價比且可靠的電源轉(zhuǎn)換方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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