BSR802N_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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BSR802N N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23-3L封裝，專為高功率密度和高效能電路設(shè)計(jì)。器件具有20V的漏源電壓(VDSS)，并能在低至18mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))下，支持高達(dá)6A的連續(xù)漏極電流(ID)。這款MOS管適用于開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動等場景，憑借其出色的電流處理能力和高效能表現(xiàn)，成為優(yōu)化系統(tǒng)性能的理想選擇。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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