Si2308BDS-T1-GE3_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/4.5A 參數(shù)4：RDON/70.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2308BDS-T1-GE3 型號MOS管，采用小巧的SOT-23-3L封裝，適應(yīng)各類微小空間內(nèi)集成應(yīng)用。這款高性能N溝道MOSFET支持高達60V的工作電壓，并能在穩(wěn)定狀態(tài)下承載4.5A的漏極電流，確保在多種高壓大電流條件下可靠運行。其導(dǎo)通電阻低至70mΩ，有效提高了能源轉(zhuǎn)化效率并減少了系統(tǒng)內(nèi)部能耗。廣泛運用于電源管理、馬達驅(qū)動、負載切換等多種場景，是打造高效節(jié)能電子設(shè)備的關(guān)鍵組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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