SI7145DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/110.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
熱銷SI7145DP-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用DFN5X6-8L封裝技術(shù)，整合小巧體積與高效散熱功能。該器件性能卓越，具有30V的最高耐壓值(VDSS)，支持高達(dá)110A的連續(xù)工作電流，其導(dǎo)通電阻(RD(on))低至3mΩ，確保了優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于大電流負(fù)載場景，如電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等行業(yè)，是提升系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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