BSC030P03NS3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/110.0A 參數4：RDON/3.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
BSC030P03NS3G P溝道MOSFET采用先進的DFN5X6-8L封裝，實現小體積與高效散熱的完美融合。該器件規(guī)格出眾具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠處理高達110A的連續(xù)大電流，而3mΩ的超低導通電阻(RD(on))使其在運行過程中表現出色，大大提升了系統能效，降低損耗。廣泛適用于電源轉換、電機驅動等高功率應用場景，是追求高效、節(jié)能方案的理想半導體器件選擇。
