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AON6407_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數(shù)1:P溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/110.0A 參數(shù)4:RDON/3.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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熱銷AON6407 P溝道MOSFET,采用堅固耐用的DFN5X6-8L封裝,確保卓越的散熱性能與高可靠性。器件參數(shù)強勁支持高達(dá)30V的漏源耐壓(VDSS),峰值電流能力高達(dá)110A,而其超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅為3mΩ,成就卓越能效表現(xiàn)。

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