SIR802DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/3.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SIR802DP-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為高功率密度和低功耗應(yīng)用設(shè)計。在20V電壓VDSS下，該器件能夠穩(wěn)定輸送高達(dá)80A的連續(xù)電流，展現(xiàn)出卓越的電流承載能力。其獨(dú)特之處在于擁有僅3.5mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效提升了系統(tǒng)能效并減少了功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動和其他需要高性能低損耗MOSFET的場合，SIR802DP-T1-GE3 無疑是您理想的選擇。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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