SIR424DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/3.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SIR424DP-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封裝設(shè)計(jì)，專為高功率密度和低能耗應(yīng)用打造。在20V電壓VDSS下，該器件可穩(wěn)定提供80A的連續(xù)電流，滿足大電流處理需求。其核心優(yōu)勢在于具有3.5mR超低導(dǎo)通電阻RD(on)，極大優(yōu)化了能效表現(xiàn)，降低了功耗。廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及其他需要高性能MOSFET的場合，SIR424DP-T1-GE3 是您實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈南座2013
