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IPG20N06S2L-50A_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數(shù)1:N+N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/50.0A 參數(shù)4:RDON/11.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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IPG20N06S2L-50A 是一款高性能NN溝道MOSFET,采用緊湊型DFN5X6-8L封裝,專為高效能與空間受限應(yīng)用打造。器件支持最高60V的電壓VDSS,能穩(wěn)定承載50A的大電流,表現(xiàn)出眾。其亮點(diǎn)在于導(dǎo)通電阻RD(on)僅為11mR,有效降低了系統(tǒng)功耗,提升了工作效率。IPG20N06S2L-50A 廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動和高壓負(fù)載開關(guān)等場景,是您構(gòu)建高能效電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體組件。



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