BSC123N08NS3G_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/75.0A 參數(shù)4：RDON/7.3mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
BSC123N08NS3G 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為現(xiàn)代高效能電子設(shè)備設(shè)計。器件亮點(diǎn)在于最大漏源電壓VDSS高達(dá)100V，可承受75A的連續(xù)漏極電流，且具備卓越的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻僅7.3mR，確保在大電流應(yīng)用環(huán)境下仍維持低功耗與高效能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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