BSC070N10NS5_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/75.0A 參數(shù)4：RDON/7.3mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
BSC070N10NS5 是一款N溝道MOSFET，采用小型DFN5X6-8L封裝，適合空間有限的應(yīng)用環(huán)境。器件特點明顯，具有100V的最大漏源電壓(VDSS)，能承載高達75A的連續(xù)漏極電流(ID)，并且擁有出色的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻僅為7.3mR(RD(on))，確保在高電流傳輸中仍保持較低的功率損耗。適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、馬達驅(qū)動等高功率、高效率的電路設(shè)計中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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