SIR426DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SIR426DP-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小巧的DFN5X6-8L封裝，專為現(xiàn)代電子設備的緊湊設計而生。該器件提供了40V的漏源電壓(VDSS)，并支持高達60A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保強大電流處理能力。更值得一提的是其出色的導通電阻僅為6.9mΩ(RD(on))，有效降低功耗，提高能源效率。這款MOS管適用于電源轉換、電機驅動等各種高功率應用場景，是您實現(xiàn)高效、節(jié)能設計的理想半導體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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