SI7848BDP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI7848BDP-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝。其擁有40V的額定漏源電壓VDSS和高達(dá)60A的連續(xù)漏極電流ID，展現(xiàn)出卓越的電力處理能力。導(dǎo)通電阻僅為6.9mΩ，有效降低功耗并提高系統(tǒng)能效，適用于各類高功率電子設(shè)備和電源管理應(yīng)用，是您設(shè)計中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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