SI7880ADP-T1-E3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI7880ADP-T1-E3 是一款N溝道MOS管，采用DFN5X6-8L封裝，特別適用于現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化設(shè)計要求。該器件具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，能處理高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，顯示其卓越的電流承載性能。其關(guān)鍵特性為僅2mΩ的超低導通電阻(RD(on))，極大地提升了能效比，降低了功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等高功率應(yīng)用場合，是您構(gòu)建高效節(jié)能電路的理想半導體部件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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