SI7192DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SI7192DP-T1-GE3 是一款N溝道MOS管，采用小型DFN5X6-8L封裝，特別適合空間敏感和高性能電子設備應用。該器件支持30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承載高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現強大的電流處理能力。其亮點在于2mΩ的超低導通電阻(RD(on))，有效降低功耗，提高整體系統效率，廣泛應用于電源轉換、電機驅動、儲能系統等領域，是實現高效能、節(jié)能電路設計的理想半導體組件。
