AON6382_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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AON6382 N溝道MOS管采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化設(shè)計(jì)需求打造。該器件支持最大30V的漏源電壓，能夠承受高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流，表現(xiàn)出卓越的電流處理能力。其突出特點(diǎn)是導(dǎo)通電阻僅2mΩ，有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)能效，廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源等高功率應(yīng)用場(chǎng)合，是實(shí)現(xiàn)高性能電路設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
