AON6358_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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AON6358 N溝道MOS管采用了先進(jìn)的DFN5X6-8L封裝形式，小巧且功能強(qiáng)大。該器件具有30V的最大穩(wěn)態(tài)漏源電壓，可支持高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流，充分保證了在高電壓大電流條件下的可靠運(yùn)行。更值得一提的是，其導(dǎo)通電阻僅為2mΩ，有效降低了能耗，提升了電路的工作效率。此款MOS管非常適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及其它高端電力電子應(yīng)用，是您優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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