SI4202DY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.5A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI4202DY-T1-GE3 是一款高端NN溝道MOSFET，采用小型化SOP-8封裝工藝，旨在滿足現(xiàn)代電子設備對高效、緊湊設計的需求。其核心技術參數(shù)包括耐受電壓VDSS高達30V，最大連續(xù)漏極電流ID為11.5A，充分展現(xiàn)強大的電力處理效能。特別強調的是，器件的導通電阻RD(on)僅為10mR，有助于大幅削減功耗，實現(xiàn)更高的能源利用效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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