SI9926CDY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/8.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI9926CDY-T1-GE3 型號MOS管采用創(chuàng)新NN溝道工藝，封裝在節(jié)省空間的SOP-8封裝形式中，專為現(xiàn)代高集成度電子設(shè)備設(shè)計。在20V額定電壓VDSS下，器件可穩(wěn)定承載8A的連續(xù)漏極電流ID，并配備超低的13mR導通電阻RD(on)，實現(xiàn)高效率與低功耗運行。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載驅(qū)動等領(lǐng)域，是優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想半導體器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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- 聯(lián) 系 人：連先生
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