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SI4825DDY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:P溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/9.0A 參數(shù)4:RDON/18.0mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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SI4825DDY-T1-GE3 型號MOS管運用尖端P溝道技術(shù),采用緊湊型SOP-8封裝,專為現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化與高性能需求設(shè)計。在30V額定電壓VDSS下,器件能穩(wěn)定處理9A的連續(xù)漏極電流ID,并具有超低的18mR導(dǎo)通電阻RD(on),確保了高效能與低功耗特性。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等場合,是提升系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體器件。



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