SI4435DDY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/9.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI4435DDY-T1-GE3 型號MOS管采用高效P溝道工藝，封裝于小巧的SOP-8封裝中，專為高集成度電路設(shè)計。在30V額定電壓VDSS下，該器件可輕松應(yīng)對9A的連續(xù)漏極電流ID，且擁有出色的18mR導(dǎo)通電阻RD(on)，實現(xiàn)卓越的能效和低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動等眾多場景，是優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能減排的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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