SI4800BDY-T1-GE3_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SI4800BDY-T1-GE3 N溝道MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，專為高效率電源管理和電機(jī)控制設(shè)計(jì)。該器件擁有30V的最大漏源電壓(VDSS)，能提供高達(dá)8.5A的連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻低至14mΩ，確保在大電流應(yīng)用環(huán)境下仍然保持卓越的性能和能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景，為您的電路設(shè)計(jì)帶來(lái)強(qiáng)大的電流處理能力和杰出的電氣性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
