SI4174DY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SI4174DY-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOS管，采用小型化SOP-8封裝設(shè)計(jì)，專為現(xiàn)代精密電子設(shè)備量身打造。該器件具備30V的最大漏源極耐壓(VDSS)，并能在高效率下穩(wěn)定承載15A的連續(xù)漏極電流(ID)，表現(xiàn)出色。尤為突出的是其低至7.5mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，在運(yùn)行過程中可大幅減少能量損耗，提升整體能效。這款MOS管憑借其卓越的電氣性能和可靠性，成為眾多電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域的理想之選。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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