FDN357N_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FDN357N 是一款N溝道MOSFET，采用微型SOT-23封裝，特別適用于緊湊型電路設(shè)計。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)和4A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保強大的電流處理性能。其導(dǎo)通電阻(RD(on))低至29mΩ，有效減少功耗，提升系統(tǒng)效率。FDN357N MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、負載開關(guān)等各類電子設(shè)備中，是您構(gòu)建高效、節(jié)能方案的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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