DMN3110S_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
DMN3110S 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為節(jié)約空間的電路設計打造。器件特征包括30V的最大漏源電壓(VDSS)及4A連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)出卓越的電流處理能力。其29mΩ的導通電阻(RD(on))設計，有效降低系統(tǒng)損耗，實現(xiàn)更高的能效比。DMN3110S 廣泛應用在電源管理、電機驅動、負載開關等領域，是緊湊、高效半導體解決方案的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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