Si2304BDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.0A 參數4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
Si2304BDS-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用SOT-23封裝，專為緊湊型電子設備設計。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)和4A連續(xù)漏極電流(ID)，提供強大的電流處理能力。其低至29mΩ的導通電阻(RD(on))，有利于降低系統(tǒng)功耗并提高能效。適用于電源轉換、電機驅動、負載開關等多種應用場合，是追求高集成度與節(jié)能效果的理想半導體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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